The words you are searching are inside this book. To get more targeted content, please make full-text search by clicking here.

ศึกษาและปฏิบัติเกี่ยวกับ โครงสร้างอะตอม สารกึ่งตัวนำชนิดพี ชนิดเอ็นและรอยต่อพีเอ็น โครงสร้างสัญลักษณ์ คุณลักษณะทางไฟฟ้าและการให้ไบแอสไดโอด ซีเนอร์ไดโอด ทรานซิสเตอร์ เฟตและอุปกรณ์ไทริสเตอร์ การทำงานของวงจรคอมมอนต่างๆ ของทรานซิสเตอร์ และเฟต การใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในวงจรขยายสัญญาณ วงจรเพาเวอร์ซัพพลาย วงจรออสซิลเลเตอร์ และวงจรอื่นๆ การอ่านคู่มืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ การแปลความหมายของคุณลักษณะทางไฟฟ้า

Discover the best professional documents and content resources in AnyFlip Document Base.
Search
Published by krupum1234, 2021-05-13 10:44:06

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และวงจร

ศึกษาและปฏิบัติเกี่ยวกับ โครงสร้างอะตอม สารกึ่งตัวนำชนิดพี ชนิดเอ็นและรอยต่อพีเอ็น โครงสร้างสัญลักษณ์ คุณลักษณะทางไฟฟ้าและการให้ไบแอสไดโอด ซีเนอร์ไดโอด ทรานซิสเตอร์ เฟตและอุปกรณ์ไทริสเตอร์ การทำงานของวงจรคอมมอนต่างๆ ของทรานซิสเตอร์ และเฟต การใช้งานอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในวงจรขยายสัญญาณ วงจรเพาเวอร์ซัพพลาย วงจรออสซิลเลเตอร์ และวงจรอื่นๆ การอ่านคู่มืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ การแปลความหมายของคุณลักษณะทางไฟฟ้า

Keywords: อุปกรณ์อิเล็กฯ

3.3 การแปลความหมายของคณุ ลกั ษณะทางไฟฟา้ ของซีเนอรไ์ ดโอด

เนื่องจากซีเนอร์ไดโอดท่ีผลิตออกมาใช้งานมากมายหลายแบบ หลายเบอร์ ต่างก็มีคุณสมบัติทางกระแส
และแรงดัน เฉพาะตัวของเบอร์นั้นๆ บริษัทผู้ผลิตจึงจัดทาข้อมูลรายละเอียดของซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode
Specification) ในแต่ละเบอร์ของซีเนอร์ไดโอดเพื่อท่ีจะให้ผู้ใช้สามารถเลือกใช้งานไดโอดได้ถูกต้องตามคุณสมบัติ
ของซีเนอร์ไดโอดเบอร์น้ันๆให้เหมาะสมแรงดันท่ีเราต้องการนาไปใช้ ดังรูปท่ี 3.8 ตัวอย่างข้อมูลรายละเอียดของซี
เนอร์ ไดโอดเบอร์ 1N4728 - 1N4764

รปู ท่ี 3.8 ตวั อยา่ งข้อมูลรายละเอียดของซีเนอร์ ไดโอดเบอร์ 1N4728 - 1N4764
ที่มา https://www.futurlec.com/Diodes/1N4742.shtml เขา้ ถึง เมือ่ 23 กรกฎาคม 2557

ชนิด แรงดนั ซี กระแส ค่าความต้านทานซเี นอรส์ งู สุด กระแสรั่วไหลสูงสดุ กระแส กระแส
เนอร์ ทดสอบ ขณะไบอสั กลับ กระชาก คงท่สี งู สดุ
1N4728 Ω Ω mA
1N4729 V mA 10 400 1.0 µA V mA mA
3.3 76 10 400 1.0 100 1 1380 276
3.6 69 100 1 1260 252

รูปท่ี 3.9 ตวั อย่างการแปลข้อมูลรายละเอยี ดของซเี นอร์ ไดโอดเบอร์ 1N4728 - 1N4764
จากรูปท่ี 3.1 ในการเลือกใช้ซีเนอร์ไดโอดไปใช้งาน ให้เลือกท่ีแรงดันซีเนอร์ ว่าจะต้องการใช้งานก่ีโวลต์

และให้ดูจากตารางเชน่ เบอร์ 1N4728 แรงดันซีเนอร์ 3.3 V นาไปใชง้ านในวงจรรักษาแรงดันให้คงท่ี ท่แี รงดัน 3.3 V

3.4 การวดั และทดสอบคุณสมบัตขิ องซีเนอร์ไดโอด
ซีเนอร์ไดโอดคือไดโอดชนิดหนึ่ง ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนา 2 ตอน ชนิด P-Type และชนิด N-Type

เช่นเดียวกับไดโอดธรรมดา แตกต่างจากไดโอดธรรมดาตรงขบวนการผลติ ที่เติมสารเจือปนในการผลิตสาร P และ
สาร N มากกว่าหรือน้อยกว่าไดโอดธรรมดาก็ข้ึนอยู่กับคุณสมบัติการนาไปใช้ดังนั้นการวัดทดสอบจึงมีลักษณะการ
วัดเชน่ เดยี วกับไดโอด

3.4.1 การวดั ซเี นอร์ไดโอดในสภาวะปกติ การวัดซีเนอรไ์ ดโอด จะสามารถวดั ไดเ้ ช่นเดยี วกับไดโอดธรรมดา
ดังนี้

1) ต้งั มัลติมเิ ตอร์ทยี่ ่านการวดั โอหม์ มเิ ตอร์ ตาแหนง่ R x 1 หรอื R x 10
2) ทาการวัดโดยการจ่ายไฟบวกจากภายในมัลติมิเตอร์ให้กับขาแอโนด (A) จ่ายไฟลบเข้ากับขา
แคโทด (K) ซึ่งเป็นการจ่ายไฟไบแอสตรงให้กับซีเนอร์ไดโอด ส่งผลให้เข็มของมัลติมิเตอร์ชไ้ี ปทางค่าความต้านทาน
ต่าดังรปู ท่ี 3.10 ก) การจา่ ยไฟไบแอสตรง
3) ทาการวัดโดยการจ่ายไฟบวกจากภายในมัลติมิเตอร์ให้กับขาแคโทด (K) จ่ายไฟลบเข้ากับขา
แอโนด (A) ซ่ึงเปน็ การจ่ายไฟไบแอสกลับให้กับซเี นอร์ไดโอด ส่งผลใหเ้ ขม็ ของมลั ติมิเตอร์ช้ีไปทางคา่ ความต้านทาน
สูงหรือเขม็ ไม่ขนึ้ นั้นเองดงั รปู ที่ 3.10 ข) การจา่ ยไฟไบแอสกลบั
ซีเนอร์ไดโอด จะวัดได้เหมือนไดโอดธรรมดา คือ เข็มมิเตอร์ข้ึนในขณะจ่ายไบแอสตรง และเข็มมิเตอร์ไม่
ข้ึนในขณะจ่ายไบแอสกลับ หรือกล่าวได้ว่าซีเนอร์ไดโอดดีเมื่อวัดด้วยมัลติมิเตอร์ย่านโอห์มมิเตอร์จะวัดขึ้นหน่ึงคร้ัง
ไมข่ ึ้นหน่งึ คร้ัง ดังรปู ที่ 3.10 การวดั ทดสอบซเี นอรไ์ ดโอด

-+ -+

AK AK

ก) การจา่ ยไฟไบแอสตรง ข) การจา่ ยไฟไบแอสกลับ

รูปท่ี 3.10 การวดั ทดสอบซเี นอรไ์ ดโอด

ในการวดั ทดสอบซีเนอร์ไดโอดอย่าลืมตรวจสอบมลั ตมิ ิเตอร์ดว้ ยว่าขัว้ ภายในมัลตมิ เิ ตอร์กบั ข้ัวภายนอกที่
เป็นสายวดั ตรงกนั หรอื ไม่ถ้าข้ัวตรงกนั ไมต่ ้องทาการสลับสายวดั

3.4.2 การหาแรงดันซีเนอร์จากเบอร์ซีเนอร์ไดโอด เบอร์ของซีเนอร์ไดโอดจะแตกต่างกันไป แล้วแต่
บรษิ ทั ผู้ผลติ แต่ละบริษทั จะกาหนดข้ึนบางเบอร์ของซเี นอร์ไดโอด ก็สามารถทราบแรงดนั ไดเ้ ลยจากเบอร์ของซีเนอร์
ไดโอดตวั น้ัน เช่น

เบอร์ BZX83C10 = BZX83C เป็นรหสั ซีเนอร์ไดโอด 10 คอื แรงดนั ซเี นอร์มคี า่ 10V
เบอร์ BZX85C6V2 = BZX85C เป็นรหัสซีเนอรไ์ ดโอด 6V2 คอื แรงดนั ซีเนอร์มีค่า 6.2 V
เบอร์ซีเนอร์ไดโอดบางแบบ ไม่สามารถบอกค่าแรงดันได้จะต้องเทียบตามตารางคุณสมบัติของซีเนอร์ไดโอด หรือ
เทียบกบั คมู่ อื ECG เชน่
เบอร์ 1N746 = จากการเปิดตารางคณุ สมบัติ จะมีแรงดันซเี นอร์ 3.3 V
เบอร์ 1N4747 = จากการเปดิ ตารางคณุ สมบตั ิ จะมแี รงดนั ซีเนอร์ 20 V
เบอร์ CZ062 = จากการเปิดคู่มือ ECG จะมีแรงดนั ซีเนอร์ 6.2 V

5. กิจกรรมการเรยี นรู้ (สัปดาหท์ ี่ 3)

การจดั กิจกรรมการเรียนรู้โดยเนน้ ผู้เรียนเปน็ สาคญั เรื่อง ซีเนอรไ์ ดโอด
1) ผูส้ อนได้กล่าวทักทายพูดคุยกับผู้เรียน และผู้สอนเช็คความพร้อมของผู้เรยี นก่อนสอบถามถึงความรู้
เรือ่ งไดโอดที่ได้เรียนผ่านมา ผู้สอนสอบถามผู้เรยี นถงึ คณุ ลกั ษณะการทางานของไดโอดขณะจา่ ยแรงดนั ไบแอสกลบั
จนถงึ แรงดันพังทลายเพ่ือเช่ือมโยงถงึ เรือ่ งท่ีจะเรียนในหน่วยนี้คือซเี นอร์ไดโอดโดยใช้กราฟประกอบการเชอื่ มโยง
ใช้เวลา (5 นาที)

IF

IF

(Zener Breakdown Voltage) VF

VR VZ 0.6V

(Cut In Voltage)

IR

2) ผ้สู อนชแี้ จงจุดประสงค์/สมรรถนะ การเรยี นรูเ้ รอื่ งซีเนอรไ์ ดโอดและเกณฑก์ ารวดั ผลในหนว่ ยท่ี 3 เร่อื ง
ซเี นอร์ไดโอด ใหผ้ ู้เรยี นได้ทราบใชเ้ วลา (5 นาที)

3) ใหผ้ ู้เรยี นไดซ้ ักถามพูดคุยถงึ รายละเอียดขอ้ ตกลงทยี่ ังไม่เข้าใจ ใชเ้ วลา (5นาที)

4) ผู้สอนแจกใบความรู้ที่ 3 เรือ่ งซเี นอรไ์ ดโอด พร้อมกับให้ผ้เู รยี นศึกษาในหวั ข้อที่ 3.1 โครงสร้างและ
สญั ลักษณข์ องซีเนอร์ไดโอด จากใบความรู้ใช้เวลา (5 นาที)

5) ผ้สู อนอธิบายถึงโครงสร้างและสัญลกั ษณข์ องซเี นอร์ไดโอดดว้ ยส่อื การสอนที่ครูผสู้ อนได้จัดทาขน้ึ และ
ผเู้ รียนศกึ ษาตามใบความรู้ท่ใี ห้ พรอ้ มกบั สอบถามถึงความรทู้ ่ีได้ ใช้เวลา (10 นาท)ี โดยใช้สื่อ Power point หนว่ ย
ที่ 3 เรอื่ งซเี นอร์ไดโอด

6) ผู้สอน และผเู้ รยี นรว่ มกันสรุป ถงึ โครงสร้างและสญั ลักษณ์ของไดโอดอีกครัง้ ใชเ้ วลา (5 นาที)

7) ผสู้ อนให้ผู้เรยี นร่วมกันศึกษาในหวั ข้อท่ี 3.2 คณุ ลกั ษณะทางไฟฟ้าของซีเนอร์ไดโอด จากใบความรู้ท่ี 3
เรื่องซเี นอร์ไดโอด ใช้เวลา (15นาท)ี

8) ผสู้ อนอธิบายคณุ ลักษณะทางไฟฟา้ ของซีเนอร์ไดโอด ดว้ ยสอ่ื การสอนทคี่ รผู สู้ อนไดจ้ ัดทาขึน้ และผู้เรยี น
ศกึ ษาตามใบความรู้ที่ให้ พร้อมกบั สอบถามถงึ ความรู้ทไี่ ด้ ใชเ้ วลา (20 นาที) โดยใช้ส่ือPower point หนว่ ยท่ี 3
เร่อื งซเี นอร์ไดโอด

9) ผ้สู อน และผ้เู รียนร่วมกันสรปุ ถงึ คุณลักษณะทางไฟฟ้าของซเี นอร์ไดโอด อีกคร้ัง ใชเ้ วลา (10 นาที)

10) ผู้เรยี นทุกคนศึกษาทาความเขา้ ใจเนื้อหาในใบความร้หู นว่ ยที่ 3 เรอื่ งซีเนอร์ไดโอด ในหวั ข้อท่ี 3.3
แปลความหมายของคณุ ลกั ษณะทางไฟฟ้าของซีเนอร์ไดโอด ผ้สู อนใหผ้ ้เู รียนทาการแปลข้อมูลจากใบมอบงานท่ี 3.1
ใช้เวลา (10 นาที)

11) ครูผู้สอนและผเู้ รียนชว่ ยกนั สรปุ เน้ือหาเรื่องความหมายของคุณลักษณะทางไฟฟ้าของซีเนอร์ไดโอด
และใหค้ วามรู้เพิ่มเตมิ ใชเ้ วลา (15 นาที)

12) ผเู้ รยี นทกุ คนศึกษาทาความเขา้ ใจเน้ือหาใน ใบความรู้ที่ 3 เรือ่ ง ซีเนอร์ไดโอด ในหวั ข้อท่ี 3.4 วดั และ
ทดสอบซเี นอร์ไดโอด ใช้เวลา (15 นาที)

13) ผสู้ อนเชญิ ตวั แทนผ้เู รยี นออกมานาเสนอการวัด พร้อมกบั อธิบายหลกั การวัดทดสอบไดโอดโดยผ้สู อน
จะเป็นคนอธบิ ายเสรมิ ใช้เวลา (20 นาที)

14) ผู้สอนและผเู้ รยี นชว่ ยกนั สรุปเนื้อหาเรอ่ื งซเี นอร์ไดโอด ใช้เวลา (15 นาที)

15) ผู้สอนสอนใหน้ ักเรยี นแบ่งกลมุ่ กลุ่มละ 3 คนตามความสมคั รใจ

16) ผสู้ อนสอนแจกใบงานการทดลองหนว่ ยที่ 3 เรอ่ื งการวัดและทดสอบคุณสมบตั ขิ องซีเนอร์ไดโอด ให้
ผู้เรียนแต่ละกลมุ่ ใชเ้ วลา (5 นาท)ี

17) ผสู้ อนอธิบายข้ันตอนการทดลองใบงานการทดลองในหนว่ ยที่ 3 เรอื่ งการวัดและทดสอบคณุ สมบตั ิ
ของซเี นอร์ไดโอด พร้อมให้คาแนะนา ชี้แนะ และสังเกตพฤตกิ รรมของผ้เู รยี นทุกกลมุ่ โดยใชแ้ บบสังเกตพฤติกรรม
ท่ี 3.1 ใช้เวลา (90 นาที)

18) ผเู้ รียนแต่ละกลุ่ม นาผลการทดลองและสรปุ ผลการทดลองออกมานาเสนอกลมุ่ ละ 3 นาที ใชเ้ วลา
ทัง้ หมด (15 นาท)ี

19) ผู้สอนร่วมอภปิ รายใหข้ อ้ เสนอแนะประเมินผลการทดลองในหน่วยท่ี 3 เรอื่ งการวดั และทดสอบ
คณุ สมบตั ิของซเี นอร์ไดโอด ใช้เวลา (15 นาท)ี

20) ผสู้ อนเสริมคณุ ธรรมดว้ ยการสอนสอดแทรกเรือ่ งค่านิยมของคนไทย ๑๒ ประการใชเ้ วลา (10 นาท)ี

21 ผู้สอนและผเู้ รียนรว่ มกนั สรุปส่ิงที่เรยี นมาทั้งหมด ก่อนทาการแบบทดสอบหลังเรียนหน่วยท่ี 3 เร่อื งซี
เนอรไ์ ดโอด ใช้เวลา (10 นาที)

6.สื่อและแหล่งการเรียนรู้
6.1 ใบความรู้หน่วยที่ 3 เร่อื งซเี นอรไ์ ดโอด
6.2 ใบงานหนว่ ยท่ี 3 เรื่องการวัดและทดสอบคุณสมบัตขิ องซเี นอร์ไดโอด
6.3 แบบทดสอบหลังเรยี นหน่วยท่ี 3 เรอ่ื งซีเนอร์ไดโอด
6.4 แบบทดสอบกอ่ นเรยี นหน่วยท่ี 3 เรื่องซีเนอร์ไดโอด
6.5 ส่ืออิเลก็ ทรอนิกส์หนว่ ยที่ 3 เรอื่ งซเี นอร์ไดโอด

7. หลกั ฐานการเรียนรู้

7.1 หลกั ฐานการเรียนรู้
1) ผลของการทดสอบหลังเรียนหนว่ ยที่ 3 เรอื่ งซเี นอร์ไดโอด
2) ผลการประเมินพฤติกรรมจากแบบสังเกตพฤติกรรมท่ี 3.1

7.2 หลกั ฐานการปฏบิ ตั ิงาน
1) ผลการทดลองในหน่วยที่ 3 การวัดและทดสอบคณุ สมบัตขิ องซเี นอร์ไดโอด
2) แฟ้มสะสมผลงาน

8. การวดั และประเมนิ ผล

จุดประสงคเ์ ชงิ พฤตกิ รรม วธิ กี ารวดั เครื่องมือ ผู้ประเมิน
ครูผู้สอน
1. บอกโครงสร้างและ 1.ทดสอบ -แบบทดสอบหน่วยที่ 3
ครผู สู้ อน
สัญลักษณข์ องซีเนอร์ไดโอดได้
ครูผ้สู อน
2. อธบิ ายคุณลกั ษณะทาง

ไฟฟา้ ของซเี นอร์ไดโอดได้

3. แปลความหมายคุณลกั ษณะ 1.อ่ า น ค่ า จ า ก -แบบทดสอบหน่วยที่ 3

ทางไฟฟ้าของซีเนอร์ไดโอดได้ อุ ป ก ร ณ์ จ ริ ง แ ล ะ -Datasheet

ตารางจาก

Datasheet

4. วัด และทดสอบซเี นอร์ 1.ต ร ว จ ผ ล ก า ร -ใบงานการทดลองหน่วยที่ 3

ไดโอดได้ ปฏิบตั ิงาน -แบบประเมินผลการปฏิบัติงาน(รู

2.สั ง เ ก ต ก า ร ณ์ บิค)

ปฏิบัตงิ าน

5.ใฝ่หาความรู้ หม่ันศกึ ษาเลา่ 1.สังเกตพฤตกิ รรม -แบบสังเกตพฤติกรรมคา่ นยิ ม ข้อ ครผู สู้ อน
เรียน ทงั้ ทางตรงและทางอ้อม 1.สงั เกตพฤตกิ รรม (๔) ครูผสู้ อน

6.ร้จู กั ดารงตนอยโู่ ดยใช้หลกั -แบบสงั เกตพฤติกรรมคา่ นิยม ข้อ
ปรัชญาของเศรษฐกจิ พอเพยี ง (๑๐)
ตามพระราชดารสั ของสมเด็จ
พระเจ้าอยหู่ ัวฯรู้จกั อดออมไว้
ใช้เมอ่ื ยามจาเป็น มีไว้พอกิน
พอใช้ ถา้ เหลือก็แจกจา่ ย
จาหนา่ ยและพร้อมท่จี ะขยาย
กิจการเม่ือมีความเม่ือมี
ภมู ิคมุ้ กนั ทีด่ ี

9.เอกสารอา้ งอิง

พันธศ์ กั ด์ิ พุฒิมานิตพงศ์. อิเล็กทรอนิกสใ์ นงานอตุ สาหกรรม. กรุงเทพฯ : สานกั พิมพซ์ เี อด็ ยเู คช่ัน, 2553
ชยั วัฒน์ ลิม้ พรจติ รวิลัย. คูม่ ือนกั อเิ ล็กทรอนกิ ส์.กรงุ เทพฯ : สานักพิมพซ์ เี อ็ดยูเคช่ัน,
อดุลย์ กัลยาแกว้ .อุปกรณ์อเิ ล็กทรอนิกสแ์ ละวงจร(อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์).กรุงเทพฯ : สานกั พมิ พ์ศนู ยส์ ่งเสริม

อาชวี ะ,2546
สมาคมสง่ เสริมเทคโนโลยี (ไทย-ญ่ปี ุ่น).เทคโนโลยสี ารกึง่ ตวั นา.กรุงเทพฯ : บริษัท ดวงกมลสมัย จากัด

10. บันทกึ ผลหลงั การจัดการเรียนรู้

10.1 ขอ้ สรุปหลงั การจดั การเรียนรู้

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

10.2 ปญั หาทพ่ี บ

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

10.3 แนวทางแกป้ ัญหา

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

รายงานการตรวจสอบและอนุญาตใหใ้ ช้

เห็นควรอนญุ าตใหใ้ ชส้ อนได้
เห็นควรปรับปรงุ เกยี่ วกบั
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
.…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงชื่อ(……………………………………………………………)

หวั หนา้ หมวด / แผนกวิชา
…………/……………………………/………………..
เห็นควรอนุญาตใหใ้ ชส้ อนได้
ควรปรบั ปรงุ เก่ียวกบั
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
อน่ื ๆ………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………..……………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงช่ือ(……………………………………………………………)

รองผูอ้ านวยการฝา่ ยวชิ าการ
…………/……………………………/………………..
เหน็ ควรอนญุ าตใหใ้ ช้สอนได้
อ่นื ๆ………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………..……………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงช่ือ(……………………………………………………………)

ผู้อานวยการวิทยาลยั การอาชีพกาญจนบุรี

…………/……………………………/………………..

แผนการจดั การเรยี นรู้ หนว่ ยที่ 4 ช่วั โมง
จานวน 5

สปั ดาห์ท่ี 4

ชือ่ วิชา อปุ กรณ์อิเล็กทรอนิกส์และวงจร
……………..……………………………………………………………………………………
ชือ่ หน่วย ทรานซสิ เตอร์
…………………………………………………………………………………………………………………………..
ชอื่ เรื่อง
ทรานซิสเตอร์………………………………………………………………………………………………………………………………

1.สาระสาคญั

ทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อถูกค้นพบคร้ังแรกโดยคณะทางานของห้องปฏิบัติการของบริษัท เบลเทเลโฟน
(Bell Laboratories) ในปี ค.ศ.1947 นับได้ว่าเป็นการปลุกโลกของวิวัฒนาการการสร้างอุปกรณ์สารก่ึงตัวนา
ทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อ(Bipolar Junction Transistor) หรือเรียกส้ันว่า BJT ถูกนาไปใช้งานอย่าง
แพร่หลาย เช่น วงจรขยายในเครื่องรับวิทยุ เครื่องรับโทรทัศน์ หรือนาไปใช้ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ท่ีทาหน้าที่เป็น
สวิตซ์(Switching) เช่น เปิด-ปิดรีเลย์(Relay) เพ่ือควบคุมอุปกรณ์ไฟฟ้าอื่นๆ เป็นต้น คุณสมบัติของทรานซิสเตอร์
คือเอากระแสส่วนน้อยควบคุมการไหลของกระแสส่วนมากดังน้ันในการนาทรานซสิ เตอร์ไปใช้งานจาเป็นต้องศึกษา
ทาความเข้าใจเกี่ยวกับคุณสมบัติพื้นฐานของทรานซิสเตอร์ไม่ว่าจะเป็นโครงสร้าง สัญลักษณ์ และคุณสมบัติการ
ทางานของทรานซสิ เตอร์

2. สมรรถนะประจาหนว่ ย

วดั ทดสอบคณุ ลักษณะทางไฟฟ้าของทรานซสิ เตอร์

3. จุดประสงค์การเรียนรู้ประจาหนว่ ย

3.1 จุดประสงค์ท่วั ไป
เพื่อใหน้ กั เรยี นมีความรู้ ความเข้าใจ ในโครงสร้าง สัญลกั ษณ์ คณุ ลกั ษณะทางไฟฟ้า การแปลความหมาย

ของคุณลกั ษณะทางไฟฟา้ รวมถงึ การวัดทดสอบทรานซิสเตอร์ และกจิ นิสยั ในการค้นคว้าความรเู้ พ่ิมเติม
3.2 จุดประสงคเ์ ชิงพฤติกรรม / สมรรถนะประจาหนว่ ย
เม่อื ผู้เรียนเรยี นจบในหนว่ ยแล้วผเู้ รยี นสามารถ
1. เขียนโครงสรา้ งและสัญลกั ษณข์ องทรานซสิ เตอร์ไดถ้ ูกต้อง
2. อธบิ ายหลกั การไบแอสทรานซสิ เตอร์ทรานซิสเตอร์ได้ถูกต้อง

3. แปลความหมายของคุณลกั ษณะทางไฟฟา้ ของไดถ้ ูกต้อง
4. การวดั และทดสอบทรานซสิ เตอร์ได้ถกู ต้อง
5. ใฝห่ าความรู้ หม่ันศกึ ษาเล่าเรยี น ทงั้ ทางตรงและทางอ้อม
6. รจู้ ักดารงตนอยโู่ ดยใชห้ ลักปรชั ญาของเศรษฐกิจพอเพียงตามพระราชดารัสของสมเดจ็ พระเจา้ อยูห่ ัวฯ
รู้จักอดออมไวใ้ ชเ้ ม่ือยามจาเป็น มีไวพ้ อกนิ พอใช้ ถ้าเหลอื ก็แจกจ่ายจาหน่ายและพร้อมท่ีจะขยายกิจการเม่ือมีความ
เม่อื มภี ูมิคุ้มกันทด่ี ี

4. สาระการเรยี นรู้

4.1 โครงสร้างและสัญลักษณข์ องทรานซิสเตอร์

ทรานซิสเตอร์ (Transistor ) ชนิดสองรอยต่อหรือ Bipolar Junction Transistor นี้ ประกอบไปด้วย
สารก่ึงตัวนาชนิดP-Type และ N-Type มาต่อกันจานวน 3 ช้ัน ทาให้เกิดรอยต่อ(Junction) ข้ึนจานวน 2 รอยต่อ
ถา้ เราจะแบ่งชนดิ ทรานซสิ เตอร์ตามโครงสร้างเราสามารถแบง่ ได้ 2 ชนิด คือ ชนิด NPN และชนดิ PNP ดังรปู ที่ 4.1
โครงสรา้ งและสญั ลักษณ์ของทรานซสิ เตอร์

C (Collector) C C (Collector) C

B P B B N B
N P

(Base) P (Base) N

E (Emitter) E E (Emitter) E

(ก) ชนดิ PNP (ข) ชนิด NPN

รูปท่ี 4.1โครงสรา้ งและสญั ลักษณ์ของทรานซิสเตอร์

จากรูปท่ี 4.1 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ จากโครงสร้างของทรานซิสเตอร์จะเห็นได้ว่า

ทรานซิสเตอร์มีขาใช้งาน 3 ขาดังนี้คือ 1.ขาอิมิตเตอร์ (Emitter : E) 2.ขาเบส (Base : B) 3. ขาคอลเล็กเตอร์

(Collector : C) โดยแต่ละชั้นของสารกึ่งตัวนาจะมีปริมาณหรือขนาดของสารไมเท่ากัน โดยชั้นสารของขา

อิมิตเตอร์จะมีขนาดกว้าง ขาเบสจะมีขนาดของช้ันแคบ และขาคอลเลคเตอร์จะแคบแต่จะมีชั้นสารโด๊ปท่ีใหญ่

ดงั รูปท่ี 4.2 ภาพตัดขวางทรานซิสเตอร์

Emitter Base Emitter Base

NN PP
P N

N P

Collector Collector

(ก) ชนดิ PNP (ข) ชนดิ NPN
รูปท่ี 4.2 ภาพตัดขวางทรานซิสเตอร์

รปู ที่ 4.3 รูปร่างของทรานซสิ เตอร์

4.2 การไบแอสทรานซสิ เตอร์

เน่ืองจากทรานซิสเตอร์มีขาใช้งาน 3 ขา การจัดวงจรไฟฟ้าให้กับทรานซิสเตอร์ทางาน หรือท่ีเราเรียกว่า
การไบแอส (Bias) นั้นมีความจาเป็นจะต้องจัดวงจรไบแอสให้ถูกต้องเพื่อให้ทรานซิสเตอร์ทางานอย่างมี
ประสิทธิภาพ และเสถียรภาพ ซ่ึงหลักการทางานของทรานซิสเตอร์เอากระแสทางด้านอินพุตไปควบคุมการไหล
ของกระแสทางด้านเอาต์พุตดงั นั้นการจดั วงจรไบแอสให้กับทรานซสิ เตอร์ต้องจดั ท้ังทางดา้ นอินพุต และเอาต์พุตซึ่ง
มีหลกั การจดั ไบแอสดังนี้ คือทางด้านอินพุตตอ้ งไดร้ บั ไบแอสตรง ส่วนเอาตพ์ ตุ ต้องได้รับไบแอสกลับ

นอกจากการให้ไบแอสทีถ่ ูกต้องแกท่ รานซิสเตอรแ์ ล้ว การควบคุมการไหลของกระแสในตวั ทรานซิสเตอร์ก็
เป็นส่ิงสาคัญ เพราะทรานซิสเตอร์เม่ือมีกระแสไหลผ่านตัวมันอาจทาให้ทรานซิสเตอร์เกิดความร้อน ส่งผลให้ค่า
ความต้านทานภายในตัวทรานซิสเตอรล์ ดลง ทาให้กระแสไหลผา่ นตัวมันเพ่ิมมากขึ้น อาจจะส่งผลให้ทรานซิสเตอร์
เสียหายได้ดังน้ันในการจัดวงจรไบแอสให้กับทรานซิสเตอร์ต้องมีตัวต้านทานมาช่วยในการจากัดกระแส และ
กาหนดแรงดันให้ถูกต้อง

4.2.1 การไบแอสทรานซิสเตอร์ชนิด พี เอ็น พี จากรูปที่ 4.4 การไบแอสทรานซิสเตอร์ชนิด พี เอ็น พี
ทางดา้ นอนิ พุตจะไดร้ ับแรงดนั ไบแอสตรง นนั้ คอื แรงดนั บวกจากแหลง่ จา่ ย VBB เขา้ ทางสาร P-Type และแรงดนั ลบ
เขา้ ทางสาร N-Type สว่ นทางดา้ นเอาต์พุตเป็นลักษณะการจา่ ยแรงดนั ไบแอสกลบั นนั้ คือแรงดันบวกจากแหล่งจ่าย
VCC เข้าทางสาร N-Type และแรงดันลบเขา้ ทางสาร P-Type

E PNP C
B IB
IE IC

อนิ พุต เอาต์พุต

+- + -
VBB VCC

รูปท่ี 4.4 การไบแอสทรานซิสเตอรช์ นิด พี เอน็ พี

E C

IE IC

อินพตุ B IB เอาต์พุต

+- + -

VBB VCC

รูปท่ี 4.5 การไบแอสทรานซิสเตอรช์ นิด พี เอ็น พี
จากรูปที่ 4.4 และ 4.5 การไบแอสทรานซิสเตอร์ชนิด พี เอ็น พี จะเห็นว่าทิศทางการไหลของกระแสใน
ทรานซสิ เตอรช์ นดิ พี เอ็น พี เป็นการไหลของกระแสโฮล (Hold Current) เพราะทรานซสิ เตอร์เปน็ ชนิด พี เอ็น พี
ซ่ึงมีจานวนโฮล (+) มากกว่าจานวนอิเล็กตรอน (-) เมื่อขาคอลเลคเตอร์ (ขา C) ได้รับไบแอสกลับทาให้
ทรานซิสเตอร์ท่ีขาคอลเลคเตอร์ ได้รับศักดิ์ไฟเป็นลบสูง ทาให้โฮลซ่ึงเป็นประจุบวกว่ิงเข้าหาประจุลบเป็นจานวน
มากจึงแทนทศิ ทางการไหลของกระแสโฮลด้วยลกู ศรใหญใ่ นตัวทรานซิสเตอร์ สามารถเขยี นเป็นสมการได้ดังนี้

IE = IC + IB

เมอื่

(1) กระแสอิมติ เตอร์ (Emitter Current: IE ) มีค่าประมาณ 100 % ของกระแสทัง้ หมด

(2) กระแสคอลเลคเตอร์ (Collector Current: IC ) มีคา่ ประมาณ 95 ถงึ 98 % ของกระแสทงั้ หมด

(3) กระแสเบส (Base Current: IB ) มีคา่ ประมาณ 2 ถงึ 5 % ของกระแสทง้ั หมด

4.2.1 การไบแอสทรานซิสเตอร์ชนิด เอ็น พี เอ็น จากรูปที่ 4.8 การไบแอสทรานซิสเตอร์ชนิด เอ็น พี เอ็น

ทางด้านอินพุตจะได้รับแรงดันไบแอสตรง น้ันคือแรงดันบวกจากแหล่งจ่าย VBB เข้าทางสาร N-Type ส่วนทางด้าน
เอาต์พุตเป็นลักษณะการจ่ายแรงดันไบแอสกลับนั้นคือแรงดันบวกจากแหล่งจ่าย VCC เข้าทางสาร N-Type และ

แรงดนั ลบเขา้ ทางสาร P-Type

E NP N C

IE IC

อนิ พุต B IB เอาต์พตุ

-+ -+

VBB VCC

รปู ท่ี 4.8 ทศิ ทางการไหลของกระแสในทรานซสิ เตอรช์ นดิ NPN

E C

IE IC

B IB

-+ -+
VBB VCC

รูปท่ี 4.9 ทิศทางการไหลของกระแสในทรานซสิ เตอร์ชนดิ เอน็ พี เอ็น

จากรูปท่ี 4.8 และ 4.9 ทิศทางการไหลของกระแสในทรานซิสเตอร์ชนิด เอ็น พี เอ็น เป็นการไหลของกระแส
อิเล็กตรอน (Electron Current) เพราะทรานซิสเตอร์เป็นชนิด เอ็น พี เอ็น ทาให้มีจานวนอิเล็กตรอน (-) มากกว่าจานวน
โฮล (+) เมื่อขาคอลเลคเตอร์ (ขา C) ได้รับไบอัสกลับทาให้ทรานซิสเตอร์ที่ขาคอลเลคเตอร์ ได้รับศักด์ิไฟเป็นบวกสูง
ทาให้อิเล็กตรอนซ่ึงเป็นประจุลบว่ิงเข้าหาประจุบวกเป็นจานวนมากจึงแทนทิศทางการไหลของกระแสอิเล็กตรอน
ดว้ ยลกู ศรใหญ่ในตัวทรานซสิ เตอร์

จากทิศทางการไหลของกระแสในตัวทรานซิสเตอร์ทั้งกระแสโฮล และกระแสอิเล็กตรอนโดยทิศทางของ

กระแสโฮลไหลจากข้ัวบวกของแหล่งจ่าย VBB ไหลผ่านตัวทรานซิสเตอร์ไปยังขั้วลบของแหล่งจ่าย VCC ซ่ึงจะสวน

ทางกับกระแสอิเล็กตรอนท่ีว่ิงจากขั้วลบของแหล่งจ่าย VBB ไหลผ่านตัวทรานซิสเตอร์ไปยังข้ัวบวกของแหล่งจ่าย

VCC ถึงแม้กระแสทั้งสองจะว่ิงสวนทางกันแต่ถือว่ากระแสท่ีไหลผ่านตัวทรานซิสเตอร์ท้ังสองชนิดมีกระแสเท่ากัน

ทรานซิสเตอร์เมอื่ ทางานจะมกี ระแสที่ไหลผา่ นอยู่ 3 คา่ คือ

(1) กระแสเบส (Base Current: IB ) มีคา่ ประมาณ 2 ถึง 5 % ของกระแสท้งั หมด
2) กระแสคอลเลคเตอร์ (Collector Current: IC ) มคี า่ ประมาณ 95 ถงึ 98 % ของกระแสท้ังหมด
(3) กระแสอิมติ เตอร์ (Emitter Current: IE ) มคี า่ ประมาณ 100 % ของกระแสทัง้ หมด
คา่ กระแสท้ัง 3 คา่ ท่ไี หลผา่ นตวั ทรานซิสเตอร์ มีความสมั พันธ์กนั สามารถเขยี นเป็นสมการไดด้ ังนี้
เมอื่ IE = 100 % , IC = 98 % และ IB = 2 %

IE = IC + IB

4.3 การแปลความหมายของคณุ ลักษณะทางไฟฟ้าของทรานซสิ เตอร์
เน่ืองจากทรานซิสเตอร์ที่ผลิตออกมาใช้งานมากมายหลายแบบ หลายเบอร์ ต่างก็มีคุณสมบัติทางกระแส

และแรงดัน เฉพาะตัวของเบอร์นั้นๆ บริษัทผู้ผลิตจึงจัดทาข้อมูลรายละเอียดของทรานซิสเตอร์(Transistor
Specification) ในแต่ละเบอร์ของทรานซิสเตอร์ เพื่อท่ีจะให้ผู้ใช้สามารถเลือกใช้งานทรานซิสเตอร์ได้ถูกต้องตาม
คณุ สมบัตขิ องทรานซิสเตอรเ์ บอรน์ ัน้ ๆ ดงั รูปท่ี 4.10 ตวั อย่างข้อมลู รายละเอยี ดของทรานซสิ เตอร์เบอร์ BD 139

เป็นทรานซสิ เตอร์ชนดิ NPN
ทามาจากสารก่งึ ตัวนาชนดิ ซลิ ิกอน

สญั ลกั ษณ์ พารามิเตอร์ อัตราทนไฟฟ้า หนว่ ย
BD139 BD140
VCBO ค่าแรงดนั ไฟฟา้ สงู สดุ ท่ี ขา C-B เมื่อ IE =0 V
VCEO คา่ แรงดันไฟฟา้ สูงสดุ ท่ี ขา C-E เมอื่ IB =0 45 80 V
VEBO ค่าแรงดันไฟฟา้ สงู สดุ ที่ ขา E-B เม่อื IC =0 45 80 A
IC ค่ากระแสคอลเลคเตอร์ A
ICM คา่ กระแสคอลเลคเตอร์สูงสุด 5 A
IB คา่ กระแสเบส 1.5 A
Ptot ค่ากาลงั ไฟฟ้าสญู เสยี สงู สดุ ที่อุณหภมู ิ 25 °C 3 W
Ptot คา่ กาลังไฟฟา้ สูญเสยี สูงสดุ ที่อุณหภูมหิ ้อง 25 °C 0.5
Tstg คา่ อุณหภมู สิ ะสมท่ีรอยต่อ 12.5 W
Tj คา่ อุณหภูมทิ ี่รอยตอ่ สงู สุด 1.25 °C
-65 ถงึ 150 °C
150

สญั ลกั ษณ์ พารามิเตอร์ การทดสอบ ค่า ชนิด สูงสุด หนว่ ย

ต่าสดุ

ICBO คา่ กระแสรวั่ ไหลสูงสดุ ไหลผา่ นขา VCB =30V 0.1 µA

คองเลคเตอร์ ทอี่ ุณหภมู ิตัวถัง 10 µA

=125°C

IEBO ค่ากระแสรวั่ ไหลสูงสุดไหลผา่ นขา VEB =25V 10 µA

อิมติ เตอร์

VCEO(sus) ค่าแรงดันไฟฟา้ สงู สุดท่ี ขา C-E IC =30mA

for BD135 45 V

for BD139 80 V

VCE(sat) คา่ แรงดนั ไฟฟา้ สูงสดุ ท่ี ขา C-Eอ่มิ ตัว IC = 0.5A 0.5 V

IB = 0.05A

VBE* แรงดนั ตกคร่อมขา B-E ขณะ IC = 0.5A 25 250
ทรานซสิ เตอรท์ างาน VCE = 2V 25 160
40
hFE* อัตราการขยายทางกระแสไฟฟ้า IC = 5mA VCE = 2V
กระแสตรง IC = 0.5mA VCE = 2V 63
IC = 150mA VCE = 2V
hFE อตั ราการขยายทางกระแสไฟฟ้า
กระแสตรง IC = 150mA VCE
= 2V เฉพาะเบอร์
BD139

รูปท่ี 4.10 ตวั อยา่ งข้อมูลรายละเอียดของทรานซสิ เตอรเ์ บอร์ BD 139

ทม่ี าhttp://pdf1.alldatasheet.com/datasheetpdf/view/21980/STMICROELECTRONICS/BD139.html

เขา้ ถึง เมอ่ื 24 กรกฎาคม 2557

จากรปู ที่ 4.10 ตัวอย่างข้อมูลรายละเอียดของทรานซสิ เตอร์เบอร์ BD 139 ในการนาทรานซิสเตอร์ไปใช้

งานต้องคานึงถึงคา่ พารามิเตอรท์ างด้านแรงดัน และกระแส ถึงจะนาทรานซิสเตอร์ไปใช้งานได้อยา่ งมีประสิทธภิ าพ

4.4 การวดั ทดสอบทรานซิสเตอร์

การวดั ทดสอบทรานซิสเตอร์ด้วยมัลติมเิ ตอร์ ถ้าพจิ ารณาโครงสร้างของทรานซิสเตอรท์ ้ังชนดิ พี เอน็ พี
หรอื เอน็ พี เอ็น เสมือนกบั นาไดโอดสองตวั มาต่อกนั ดงั น้ันการวัดทรานซิสเตอรเ์ หมอื นกบั วดั ไดโอดสองตวั นั้นเอง

4.4.1 การวัดทรานซิสเตอรช์ นิด พี เอน็ พี

4.4.1.1. ตั้งยา่ นการวดั ที่ย่านความตา้ นทาน R x10 พรอ้ มกับทาการปรับศนู ยโ์ อหม์

0

x1k
x100
x1x10

รปู ที่ 4.10 ตัง้ ยา่ นการวดั ท่ียา่ นความตา้ นทาน R x10

4.4.1.2. พิจารณาโครงสร้างของทรานซิสเตอรช์ นดิ พี เอ็น พี ดงั รูปท่ี 4.11

+C N C +C
B- B-
+
+ +E
P
E B-

N
P

+E

รปู ที่ 4.11 โครงสร้างของทรานซสิ เตอรช์ นิด พี เอ็น พี

4.4.1.3 การวัดทรานซิสเตอร์เน่ืองจากทรานซสิ เตอร์มี 3 ขาดงั รปู ที่ 4.11 สามารถจบั คู่การวัดได้
3 คู่ คู่ละ 2 ครง้ั นนั้ คือสลับขวั้ สายวัดน้ันเองจะได้การวัดทงั้ หมด 6 ครงั้ ดังตารางที่ 4.1 และรูปที่ 4.12 ลกั ษณะ
การวดั ทรานซิสเตอรช์ นิด พี เอน็ พี

คา่ ความต้านทานต่า อินฟินติ ้ี (∞)

0 อนิ ฟนิ ิตี้ (∞) 0 อินฟินติ ี้ (∞)

x1k + C  0 x1k -C  0
x100 x100
x1x10 - x1x10 +

B- x1k B+ x1k
x100 x100
- x1x10 + x1x10

0 ++ 0 --

x1k E x1k E
x100 x100
x1x10 x1x10

ค่าความตา้ นทานต่า อินฟินติ ้ี (∞)

รูปที่ 4.12 ลักษณะการวดั ทรานซิสเตอรช์ นิด พี เอน็ พี

ตารางที่ 4.1 ลักษณะการวดั และคา่ ทอี่ ่านไดใ้ นการวดั ทรานซสิ เตอร์ชนิด พี เอน็ พี

คทู่ ี่ ขั้วของมัลติมิเตอร์ คา่ ความต้านทานระหวา่ งขาแต่ละคู่

ขั้วบวก (+) ขวั้ ลบ(-)

1E C อนิ ฟนิ ติ ี้ (∞)

CE อนิ ฟินติ ี้ (∞)

2E B อา่ นคา่ ได้คา่ ความตา้ นทานต่า

C B อ่านค่าได้คา่ ความตา้ นทานตา่

3B E อินฟินิตี้ (∞)

BC อินฟนิ ติ ี้ (∞)

จากตารางท่ี 4.1 จะมเี พียง 2 ครัง้ เท่านนั้ ท่ีเข็มมิเตอร์ขน้ึ อา่ นค่าความตา้ นทานได้ประมาณ 70 Ω ส่วน 4
ครงั้ ทเี่ ข็มไม่ข้นึ เปน็ คา่ อนิ ฟินิตี้ (∞) ใน 2 คร้งั ทขี่ ึน้ ใหส้ งั เกตถา้ ขว้ั ไฟลบของมัลตมิ เิ ตอร์ตอ่ อยู่ท่ขี าไหนขาน้ันเป็นขา
B ของทรานซสิ เตอร์ ท่เี หลือเป็นขา C และ E

4.4.1.4 จากการวัดดังกล่าวยังไม่สามารถระบุขา C และ ขา E ไดใ้ นการวดั หาขา C และขา E ให้
ทาการตั้งมลั ตมิ ิเตอรย์ า่ นความต้านทาน R x10K ดังรปู ที่ 4.13 ต้ังย่านการวัดที่ย่านความตา้ นทาน R x10K

0

x10k
x1x1x0100

รปู ที่ 4.13 ตั้งย่านการวดั ที่ย่านความตา้ นทาน R x10K

4.4.1.5 นาสายมิเตอร์ขัว้ บวก และขั้วลบของมลั ตมิ เิ ตอร์วดั ขา C และขา E โดยสลับการวดั 2
ครั้งดงั รปู ที่ 4.14 การวัดหาขา C และ E ของทรานซิสเตอร์ชนดิ พี เอน็ พี

คา่ ความต้านทานต่ากวา่ ค่าความต้านทานสูงกวา่
ทรกิ -C  0
C  0
B Bx10k
x100 +
x1x10
x10k
x100
x1x10

+E ทริก -

E

รปู ที่ 4.14 การวัดหาขา C และ E ของทรานซสิ เตอรช์ นิด พี เอ็น พี

จากรูปที่ 4.14 ใชม้ ือทรกิ ที่ขาทตี่ อ่ อย่กู ับขว้ั ลบของมลั ติมเิ ตอร์มายังขา B แล้วเปรยี บเทยี บคา่ ความ
ต้านทานคร้ังทวี่ ัดไดค้ า่ ความต้านทานต่ากว่า ขาท่ีต่ออยูก่ ับสายข้ัวลบ คือขา C ทเี่ หลอื คือขา E

4.4.2 การวดั ทรานซิสเตอร์ชนิด เอ็น พี เอน็

4.4.2.1. ตัง้ ยา่ นการวดั ที่ย่านความต้านทาน R x10 พร้อมกบั ทาการปรบั ศนู ย์โอห์มดงั รูปที่ 4.15
ต้งั ยา่ นการวัดทีย่ ่านความต้านทาน R x10

0

x1k
x100
x1x10

รูปที่ 4.15 ตั้งยา่ นการวดั ท่ีย่านความตา้ นทาน R x10
4.4.2.2. พจิ ารณาโครงสร้างของทรานซสิ เตอร์ชนดิ เอ็น พี เอ็น ดงั รูปที่ 4.16

CC
C

N

B BP B

P

N

EE
E

รูปท่ี 4.16 โครงสรา้ งของทรานซสิ เตอร์ชนิด เอ็น พี เอ็น

4.4.2.3 การวดั ทรานซิสเตอรเ์ นอื่ งจากทรานซิสเตอรม์ ี 3 ขาดังรูปท่ี 4.16 สามารถจับคกู่ ารวดั ได้
3 คู่ คู่ละ 2 คร้งั น้ันคือสลับข้วั สายวดั นั้นเองจะไดก้ ารวัดทั้งหมด 6 ครั้ง ดังตารางท่ี 4.2 และรปู ท่ี 4.17 ลักษณะ
การวดั ทรานซสิ เตอร์ชนิด เอ็น พี เอ็น

อนิ ฟนิ ติ ้ี (∞) คา่ ความตา้ นทานต่า

0 อนิ ฟินติ ี้ (∞) 0 อินฟนิ ิตี้ (∞)

x1k + C  0 x1k - C  0
x100 x100
x1x10 - x1x10 +

B- x1k B+ x1k
x100 x100
- x1x10 + x1x10

0 ++ 0 --

x1k E x1k E
x100 x100
x1x10 x1x10

อินฟนิ ติ ้ี (∞) คา่ ความตา้ นทานตา่

รปู ท่ี 4.17 ลักษณะการวดั ทรานซสิ เตอรช์ นดิ เอน็ พี เอ็น

ตารางท่ี 4.2 ลกั ษณะการวดั และค่าที่อา่ นไดใ้ นการวัดทรานซิสเตอร์ชนดิ เอน็ พี เอน็

ค่ทู ี่ ข้ัวของมลั ติมเิ ตอร์ ค่าความตา้ นทานระหวา่ งขาแต่ละคู่

ขัว้ บวก (+) ขว้ั ลบ(-)

1E C อนิ ฟนิ ติ ้ี (∞)

CE อนิ ฟินิตี้ (∞)

2E B อนิ ฟินิต้ี (∞)

CB อนิ ฟนิ ิตี้ (∞)

3B E อ่านค่าได้ค่าความตา้ นทานต่า

B C อา่ นคา่ ได้คา่ ความต้านทานตา่

จากตารางที่ 4.2 จะมีเพยี ง 2 คร้ังเท่านนั้ ท่ีเข็มมเิ ตอร์ข้ึนอ่านค่าความตา้ นทานไดป้ ระมาณ 70 Ω สว่ น 4
ครัง้ ทีเ่ ข็มไมข่ ึน้ เปน็ คา่ อินฟินิตี้ (∞) ใน 2 ครั้งที่ขึ้นใหส้ งั เกตถ้าขั้วไฟบวกของมัลติมิเตอรต์ อ่ อยู่ทีข่ าไหนขานนั้ เปน็
ขา B ของทรานซสิ เตอร์ ที่เหลือเป็นขา C และ E

4.4.2.4 จากการวัดดังกล่าวยังไมส่ ามารถระบุขา C และ ขา E ได้ในการวดั หาขา C และขา E ให้
ทาการตั้งมัลติมเิ ตอรย์ า่ นความตา้ นทาน R x10K

0

x10k
x1x1x0100

รูปที่ 4.18 ตงั้ ย่านการวัดท่ียา่ นความตา้ นทาน R x10K

4.4.2.5 นาสายมเิ ตอรข์ ั้วบวก และขว้ั ลบของมลั ตมิ เิ ตอร์วัดขา C และขา E โดยสลบั การวัด 2ครง้ั
ดงั รปู ที่ 4.19 การวดั หาขา C และ E ของทรานซสิ เตอรช์ นดิ เอน็ พี เอน็

ค่าความตา้ นทานต่ากว่า คา่ ความต้านทานสูงกว่า

ทรกิ C  0 -C  0

+ x10k
x100
B Bx10k x1x10
x100
x1x10

- ทริก +E

E

รปู ท่ี 4.19 การวดั หาขา C และ E ของทรานซสิ เตอร์ชนิด เอ็น พี เอ็น

จากรูปท่ี 4.19 ใช้มือทริกท่ีขาที่ต่ออยู่กับข้ัวบวกของมัลติมิเตอร์มายังขา B แล้วเปรียบเทียบค่าความ
ตา้ นทานครงั้ ที่วัดไดค้ า่ ความตา้ นทานต่ากวา่ ขาทตี่ อ่ อยูก่ ับสายข้ัวบวกของมลั ติมิเตอร์ คอื ขา C ที่เหลือคือขา E

4.3.3 การวัดหาขาทรานซิสเตอร์ท่ีตัวถังเป็นโลหะการวัดทดสอบทรานซิสเตอร์แบบตัวถังโลหะ ดังรูปท่ี

4.20 ตั้งมิเตอร์ท่ีย่านความต้านทาน R x 1 หรือ X10 วัดหาขา B เหมือนกับวัดทรานซิสเตอร์ทั่วไป เมื่อได้ขา B

แล้วตรวจวัดหาขา C โดยวัดความต้านทานที่ขาท่ีเหลือ 2 ขา กับตัวถัง ถ้าเข็มมิเตอร์ขึ้นช้ีที่ตาแหน่งศูนย์โอห์ม

แสดงวา่ ขาน้ันเป็นขา C ทเี่ หลอื เปน็ ขา E

รปู ท่ี 4.20 ทรานซิสเตอรต์ ัวถังทมี่ โี ลหะ

5. กิจกรรมการเรียนรู้ (สัปดาห์ท่ี 4)

ก า ร จั ด กิ จ ก ร ร ม ก า ร เ รี ย น รู้ โ ด ย เ น้ น ผู้ เ รี ย น เ ป็ น ส า คั ญ เ ร่ื อ ง ท ร า น ซิ ส เ ต อ ร์
1) ครูผู้สอนเปิดเพลงจากโทรศัพท์มือถือให้ผู้เรียนฟังหลังจากนั้นนาสายสัญญาณมาต่อเข้ากับเคร่ืองขยาย
เสียงหรือนาไปจอไมค์กรณีไม่มีสายสัญญาณจนทาให้เสียงเพลงจากโทรศัพท์ดังขึ้นแล้วสรุปเข้าเรื่องว่าตัว
ทรานซสิ เตอรเ์ ปน็ ตัวสาคญั ทาให้เกิดการขยายเสยี งขนึ้ (10 นาท)ี

2) ใหผ้ ู้เรียนไดซ้ ักถามข้อมูลเพ่ิมเติม ใชเ้ วลา (5นาท)ี

3) ผสู้ อนแจกใบความรู้ที่ 4 เร่ืองทรานซสิ เตอร์ใช้เวลา (5นาท)ี
4) ผสู้ อนอธบิ ายความรจู้ ากใบความรู้ท่ี4 ในหวั ข้อ 4.1 โครงสรา้ งและสญั ลักษณ์ของทรานซสิ เตอรใ์ ชเ้ วลา
(10 นาที) โดยใช้สอื่ จากสือ่ Power point เรื่องทรานซสิ เตอร์

5) ผสู้ อน และผ้เู รียนร่วมกันสรปุ เรือ่ งทรานซิสเตอร์อีกคร้ัง ใชเ้ วลา (5 นาที)
6) ผสู้ อนอธิบายความรจู้ ากใบความรูท้ ี่4 ในหวั ขอ้ 4.2 เร่ืองการไบแอสทรานซสิ เตอร์ใช้เวลา (20 นาที)
โดยใชส้ ือ่ จากสือ่ Power point เรือ่ งทรานซิสเตอร์ และโปรแกรมจาลองการทางานของทรานซิสเตอร์

7) ผสู้ อน และผ้เู รียนร่วมกันสรุป เรอ่ื งการไบแอสทรานซิสเตอร์อีกคร้ัง ใชเ้ วลา (5 นาที)
8) ผเู้ รยี นทุกคนศึกษาทาความเข้าใจเน้ือหาใน ใบความรู้หน่วยท่ี 4 ในหวั ข้อ 4.3 เร่อื งแปลความหมายของ
คณุ ลักษณะทางไฟฟ้าของทรานซสิ เตอร์ใช้เวลา (10 นาท)ี
9) ครผู สู้ อนและผูเ้ รียนชว่ ยกันสรุปเนือ้ หาเรื่องแปลความหมายของคณุ ลักษณะทางไฟฟ้าของ
ทรานซิสเตอร์ ใชเ้ วลา (15 นาที)
10) ผเู้ รยี นทกุ คนศึกษาทาความเขา้ ใจเนื้อหาใน ใบความรู้ที่ 4 เร่อื ง ทรานซสิ เตอร์ ในหัวขอ้ ท่ี 4.4 เร่ืองวดั
และทดสอบทรานซสิ เตอร์ใช้เวลา (20 นาท)ี
11) ผ้สู อนเชญิ ตัวแทนผเู้ รยี นออกมานาเสนอการวัด พรอ้ มกบั อธบิ ายหลกั การวดั ทดสอบทรานซิสเตอร์
โดยผ้สู อนจะเป็นคนอธิบายเสริมใช้เวลา (10 นาท)ี

12) ผสู้ อนและผู้เรียนช่วยกนั สรุปเนือ้ หาเรอ่ื งทรานซสิ เตอร์ใช้เวลา (10 นาที)

13) ผ้สู อนสอนใหน้ ักเรยี นแบ่งกล่มุ กลมุ่ ละ 3 คนตามความสมคั รใจ
14) ผสู้ อนสอนแจกใบงานการทดลองหนว่ ยท่ี 4 เร่ืองการวัดและทดสอบคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์ให้
ผเู้ รยี นแต่ละกลุ่ม ใชเ้ วลา (5 นาที)

15) ผสู้ อนอธบิ ายขน้ั ตอนการทดลองใบงานการทดลองในหน่วยที่ 4 เรอื่ งการวดั และทดสอบคุณสมบัติ
ของทรานซสิ เตอร์ พร้อมใหค้ าแนะนา ช้ีแนะ และสังเกตพฤติกรรมของผูเ้ รยี นทกุ กลมุ่ โดยใชแ้ บบสงั เกตพฤติกรรม
ท่ี 4.1 ใชเ้ วลา (80 นาที)

16) ผู้เรยี นแตล่ ะกลมุ่ นาผลการทดลองและสรุปผลการทดลองออกมานาเสนอกลุม่ ละ 3 นาที ใช้เวลา
ทง้ั หมด (20 นาท)ี

17) ผู้สอนร่วมอภปิ รายใหข้ ้อเสนอแนะประเมินผลการทดลองในหน่วยที่ 4 เรื่องการวัดและทดสอบ
คณุ สมบตั ิของทรานซิสเตอร์ ใชเ้ วลา (20 นาที)

18) ผสู้ อนเสริมคณุ ธรรมดว้ ยการสอนสอดแทรกเร่ืองคา่ นิยมของคนไทย ๑๒ ประการใชเ้ วลา (10 นาท)ี

19) ผสู้ อนและผูเ้ รียนร่วมกนั สรปุ ส่ิงท่เี รยี นมาทง้ั หมด ก่อนทาการแบบทดสอบหลงั เรียนหนว่ ยท่ี 4 เรอ่ื ง
การวดั และทดสอบคุณสมบัติของทรานซิสเตอร์ใช้เวลา (20 นาท)ี

20) ผเู้ รยี นช่วยกนั ทาความสะอาด ปดิ ไฟ ตรวจดูความเรียบร้อยช้ันเรียนใชเ้ วลา (5 นาท)ี

6.สอื่ และแหล่งการเรยี นรู้

6.1 คู่มอื ประกอบการอธิบายใหก้ บั ผเู้ รยี น
6.2 ใบความรู้หน่วยที่ 4 เร่ืองทรานซิสเตอร์
6.3 ใบงานท่ี 4 เรื่อง การวัดและทดสอบคุณสมบตั ิของทรานซสิ เตอร์
6.4 แบบทดสอบหนว่ ยที่ 4 ทรานซสิ เตอร์

7. หลักฐานการเรียนรู้

7.1 หลกั ฐานการเรียนรู้
1) แบบทดสอบหน่วยท่ี 4 ทรานซิสเตอร์
2) ใบงานหน่วยที่ 4 เรื่อง การวดั และทดสอบคณุ สมบัติของทรานซิสเตอร์
3) แบบประเมินพฤติกรรม
4) แบบสังเกตการณ์ปฏิบตั ิงาน

7.2 หลกั ฐานการปฏบิ ตั งิ าน
1) ใบงานที่ 4 เรอ่ื ง การวัดและทดสอบคณุ สมบัติของทรานซสิ เตอร์
2) แฟม้ สะสมผลงาน

8. การวดั และประเมินผล วิธีการวัด เครื่องมือ ผ้ปู ระเมิน

จดุ ประสงคเ์ ชิงพฤติกรรม

1.เขยี นโครงสรา้ งและ ทดสอบ แบบทดสอบหนว่ ยที่ 4 ครูผสู้ อน

สญั ลกั ษณ์ของทรานซิสเตอรไ์ ด้ ครผู ้สู อน
ครูผู้สอน
ถูกต้อง
ครผู ูส้ อน
2. อธบิ ายหลกั การไบแอส ทดสอบ แบบทดสอบหนว่ ยที่ 4 ครผู สู้ อน
ครผู ้สู อน
ทรานซิสเตอร์ไดถ้ ูกต้อง

3. แปลความหมายของ 1.อ่ า น ค่ า จ า ก Datasheet

คณุ ลักษณะทางไฟฟ้าของ อุ ป ก ร ณ์ จ ริ ง แ ล ะ

ทรานซิสเตอร์ได้ถูกตอ้ ง ตารางจาก

Datasheet

4. การวดั และทดสอบ ทดลอง ใบงานการทดลองหน่วยที่ 4

ทรานซสิ เตอร์ไดถ้ ูกต้อง

5.ใฝ่หาความรู้ หมัน่ ศึกษาเลา่ สังเกตพฤตกิ รรม -แบบสงั เกตพฤติกรรมคา่ นยิ ม ข้อ
เรียน ทัง้ ทางตรงและทางอ้อม สังเกตพฤติกรรม (๔)

6.รูจ้ กั ดารงตนอยู่โดยใช้หลกั -แบบสังเกตพฤติกรรมค่านิยม ข้อ
ปรชั ญาของเศรษฐกิจพอเพียง (๑๐)
ตามพระราชดารสั ของสมเด็จ
พระเจา้ อยู่หัวฯรูจ้ ักอดออมไว้
ใช้เมอื่ ยามจาเป็น มีไว้พอกิน
พอใช้ ถ้าเหลือก็แจกจา่ ย
จาหนา่ ยและพร้อมทจี่ ะขยาย
กิจการเม่ือมีความเม่ือมี
ภมู คิ มุ้ กันท่ีดี

9. เอกสารอ้างอิง

พนั ธ์ศักด์ิ พฒุ ิมานิตพงศ์. อิเลก็ ทรอนิกสใ์ นงานอุตสาหกรรม. กรุงเทพฯ : สานักพิมพ์ซเี อ็ดยเู คชั่น, 2553
ชัยวัฒน์ ล้มิ พรจิตรวิลัย. คมู่ ือนักอิเล็กทรอนิกส์.กรงุ เทพฯ : สานักพิมพซ์ เี อ็ดยเู คช่นั ,
อดุลย์ กัลยาแกว้ .อปุ กรณอ์ ิเลก็ ทรอนกิ สแ์ ละวงจร(อุปกรณ์อเิ ลก็ ทรอนกิ ส์).กรงุ เทพฯ : สานกั พมิ พ์ศูนย์ส่งเสริม

อาชวี ะ,2546
สมาคมส่งเสรมิ เทคโนโลยี (ไทย-ญีป่ ุ่น).เทคโนโลยีสารกึ่งตวั นา.กรงุ เทพฯ : บริษัท ดวงกมลสมัย จากัด

10. บันทกึ ผลหลังการจดั การเรยี นรู้

10.1 ขอ้ สรุปหลงั การจัดการเรียนรู้

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

10.2 ปญั หาที่พบ

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

10.3 แนวทางแกป้ ญั หา

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

รายงานการตรวจสอบและอนุญาตใหใ้ ช้

เห็นควรอนญุ าตใหใ้ ช้สอนได้
เหน็ ควรปรับปรงุ เกย่ี วกบั
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
.…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงช่ือ(……………………………………………………………)

หวั หนา้ หมวด / แผนกวชิ า
…………/……………………………/………………..
เห็นควรอนุญาตให้ใช้สอนได้
ควรปรับปรุงเกี่ยวกบั
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
อน่ื ๆ………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………..……………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงช่อื (……………………………………………………………)

รองผอู้ านวยการฝา่ ยวิชาการ
…………/……………………………/………………..
เหน็ ควรอนญุ าตใหใ้ ช้สอนได้
อน่ื ๆ………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………..……………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงชื่อ(……………………………………………………………)

ผ้อู านวยการวทิ ยาลัยการอาชีพกาญจนบุรี
…………/……………………………/………………..

หนว่ ยที่ 5 ช่วั โมง
จานวน 5

แผนการจดั การเรียนรู้

ช่อื วิชา อปุ กรณ์อิเล็กทรอนิกสแ์ ละวงจร
……………..……………………………………………………………………………………
ชอื่ หน่วย วงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์ ……………………………………………………………………………………………………..
ช่ือเร่ือง วงจรคอมมอน
ทรานซิสเตอร์………………………………………………………………………………………………………….

1.สาระสาคัญ

เนื่องจากทรานซิสเตอร์มีขาใช้งานสามขาคือ ขาเบส(Base : B) ขาคอลเลคเตอร์ (Collector : C) และขา
(Emitter : E) ดังนั้นในการจัดวงจรให้กับทรานซิสเตอร์ทางานน้ันจะต้องมีขาใดขาหน่ึงเป็นขาร่วม(Common)
ระหว่างสญั ญาณด้านขาเข้าหรือเรียกวา่ อนิ พุต (Input : I/P) กบั สญั ญาณขาออกหรอื เอาตพ์ ตุ (Output : O/P) หรือ
เราเรยี กว่าระบบทพู อร์ท(Two port)

การจัดวงจรในลักษณะอินพุตสองขั้ว และเอาต์พุตสองขั้วท่ีมีขาใดขาหนึ่งเป็นขาร่วมของทรานซิสเตอรน์ ้ัน
เราเรียกว่าวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์

2. สมรรถนะประจาหน่วย

ประกอบวัด ทดสอบคุณสมบัติของวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์

3. จุดประสงค์การเรยี นรปู้ ระจาหน่วย

3.1 จุดประสงค์ทวั่ ไป
เพื่อใหน้ ักเรยี นมีความรู้ ความเขา้ ใจ ในคุณลักษณะทางไฟฟ้าของวงจรคอมมอนทรานซิสเตอร์ และกิจ

นิสัยในการคน้ คว้าความรเู้ พ่ิมเตมิ
3.2 จดุ ประสงค์เชงิ พฤติกรรม / สมรรถนะประจาหนว่ ย
เมอ่ื ผูเ้ รียนเรยี นจบในหน่วยแล้วผูเ้ รยี นสามารถ
1. อธบิ ายหลกั การทางานของวงจรคอมมอนเบสได้ถูกต้อง
2. อธบิ ายหลกั การทางานของวงจรคอมมอนคอลเลคเตอร์ได้ถูกต้อง

3. อธบิ ายหลกั การทางานของวงจรคอมมอนอิมติ เตอรไ์ ด้
4. ใฝ่หาความรู้ หม่ันศกึ ษาเล่าเรียน ทัง้ ทางตรงและทางอ้อม
5. รจู้ กั ดารงตนอยูโ่ ดยใช้หลักปรชั ญาของเศรษฐกิจพอเพียงตามพระราชดารสั ของสมเดจ็ พระเจ้าอยหู่ วั ฯ
รู้จกั อดออมไว้ใช้เม่ือยามจาเป็น มไี วพ้ อกนิ พอใช้ ถ้าเหลือก็แจกจ่ายจาหนา่ ยและพร้อมท่ีจะขยายกจิ การเม่ือมีความ
เมอื่ มภี มู ิค้มุ กันทดี่ ี

4. สาระการเรียนรู้

5.1 วงจรเบสรว่ ม หรอื คอมมอนเบส (Common Base : CB)
วงจรเบสร่วม หรือคอมมอนเบส เป็นวงจรที่ใช้ขา เบส หรือขา B เป็นขาร่วมระหว่างอินพุตกับ

เอาต์พุต ดังรูปที่ 5.1 วงจรคอมมอนเบสเบื้องต้น

In put Ii IE E C IC Io Out put

Vi Zi RE RC Zo
B - Vo
+ IB VCC
- VBB

+

ก) วงจรคอมมอนเบสชนิด NPN

In put Ii IE E C IC Io Out put

Vi Zi RE RC Zo
B + Vo
- VBB IB VCC
+ -

ข) วงจรคอมมอนเบสชนดิ PNP
รปู ที่ 5.1 วงจรคอมมอนเบส

จากวงจรคอมมอนเบส จะเห็นวา่ สัญญาณเข้าทางขาอิมิตเตอร์ (E) และสัญญาณจะถกู ส่งออกทางขา
คอลเลคเตอร์ (C) ซ่งึ เป็นขาเอาต์พุตคุณสมบัติของวงจรคอมมอนเบส สามารถสรปุ ได้ดังนี้

1) อิมพแี ดนซท์ างด้านอินพุต (Input Impedance : Zi ) หรือค่าความต้านทานทางด้านอนิ พตุ ของวงจรมี
ค่าต่ามาก เนอ่ื งจากขา E ได้รับการไบอัสตรงเม่ือเทียบกบั ขา B ผลทาให้กระแส IE ไหลไดม้ าก ซึ่งแสดงวา่ คา่ ความ
ตา้ นทานทางดา้ นอนิ พุต (Zi) มคี ่าต่ามาก

2) อิมพีแดนซท์ างด้านเอาต์พุต (Output Impedance : Zo ) หรอื ค่าความตา้ นทานทางด้านเอาต์พุตของ
วงจรมีค่าสงู มาก เนอ่ื งจากขา C ได้รับการไบอสั กลับเมอื่ เทียบกับขา B ผลทาให้กระแส IC ไหลได้น้อย ซง่ึ แสดงว่า
คา่ ความตา้ นทานทางดา้ นอนิ พุต (Zo) มีค่าสูงมาก

3) เฟส (Phase) ของสัญญาณอนิ พตุ และเอาต์พตุ จะเหมือนกันนน้ั คือถ้าสัญญาณป้อนเข้ามาทางอินพุต
เป็นบวก สญั ญาณที่ออกทางเอาต์พุตก็จะเป็นบวกเชน่ กนั เรารียกว่าสัญญาณอนิ เฟสกนั ( Inphase )

4) อัตราขยายทางด้านกระแส (Current Gain : α ) ซง่ึ เขยี นแทนดว้ ยอกั ษรกรกี คือ ตวั อัลฟ่า ( α ) ซง่ึ ใน
วงจรคอมมอนเบสเราสามารถหาอตั ราการขยายทางกระแสได้จากกระแสทางดา้ นเอาต์พุต (Io) ต่อกระแสทางด้าน
อนิ พตุ (Ii)

α  Io
Ii

หรอื

α  IC  1 สมการท่ี 5.1

IE

ในวงจรคอมมอนเบส ค่ากระแส IE = 1 หรือ 100 % สว่ นกระแส IC = 0.95 ถึง 0.98 หรือ 95 ถึง 98 %
ดังน้นั ในวงจรคอมมอนเบสจะเห็นได้ว่าอตั ราขยายทางด้านกระแส ( α ) มคี า่ ไมเ่ กนิ 1เทา่

α  IC  0.95  0.95  1

IE 1

5) อตั ราการขยายแรงดนั (Voltage Gain: VG) หรอื บางคร้ังอาจจะใช้คาวา่ โวลท์เตจ แอมปลไิ ฟเออร์
(Voltage Amplifier: AV) คือเปน็ คา่ อตั ราสว่ นระหวา่ งแรงดนั ทางดา้ นเอาต์พตุ (VO) ตอ่ แรงดนั อนิ พตุ ( Vi )

AV  VO
Vi

หรอื

AV  ICRC
IERE
สมการที่ 5.2

6) อัตราขยายทางด้านกาลงั (Power Gain: PG) เป็นอตั ราการขยายทเ่ี กิดจากผลคูณระหวา่ งอัตราการ
ขยายกระแส ( α ) กบั อตั ราขยายทางด้านแรงดัน (AV)

PG α  AV สมการท่ี 5.3

7) วงจรคอมมอนเบสมกั จะถูกนาไปใช้งานเกีย่ วกับ วงจรขยายแรงดัน (Voltage Amplifier) วงจรกาเนดิ
ความถ่ี หรอื วงจรออสซิเลเตอร์ (Oscillator) และวงจรแมตชช์ ง่ิ (Matching)

5.2 วงจรคอลเลคเตอรร์ ่วม หรือคอมมอนคอลเลคเตอร์ (Common Collector: CC)
วงจรคอมมอนคอลเลคเตอร์ หรอื เรียกอกี อยา่ งหนงึ่ ว่าวงจรอิมิตเตอรต์ าม (Emitter Follower) เปน็ วงจร

ที่ใช้ขา C เปน็ ขาร่วมระหว่างอนิ พุต กบั เอาตพ์ ตุ ดังรูปที่ 5.2 วงจรคอมมอนคอนเลคเตอร์เบื้องตน้

In put IB B C IC +

Zi Out put VCC

-

Vi RB E Zo VO
RL
IE

+-

VEE

ก) วงจรคอมมอนคอลเลคเตอรช์ นิด NPN

C -
In put B
VCC

+

Zi Out put
E Zo
Vi RB RL IE VO

-+

VEE

ข) วงจรคอมมอนคอลเลคเตอรช์ นิด PNP
รูปท่ี 5.2 วงจรคอมมอนคอลเลคเตอร์เบ้ืองตน้

จากรูปวงจรคอมมอนคอลเลคเตอรจ์ ะเห็นวา่ สญั ญาณอนิ พตุ ถูกป้อนเขา้ มาทางขา B และเอาต์พุตออกทาง
ขา E ซงึ่ สามารถสรปุ คุณสมบัตขิ องวงจรคอมมอนคอลเลคเตอร์ได้ดังน้ี

1) อิมพีแดนซ์ทางด้านอินพุต (Input Impedance : Zi ) หรือค่าความตา้ นทานทางดา้ นอินพุตของวงจรสูง
มาก เนือ่ งจากขา B ไดร้ ับการไบอสั กลบั เม่ือเทียบกับขา C

2) อมิ พแี ดนซ์ทางด้านเอาต์พุต (Output Impedance : Zo ) หรือค่าความตา้ นทานทางดา้ นเอาต์พุตของ
วงจรมคี า่ ตา่ เนื่องจากขา E ได้รบั การไบอสั ตรงเมื่อเทียบกับขา C ผลทาให้กระแส IE ไหลไดม้ าก ซ่ึงแสดงวา่ คา่
ความต้านทานทางดา้ นอินพุต (Zo) มคี ่าตา่

3) เฟส (Phase) ของสัญญาณอนิ พุต และเอาต์พุตจะเหมือนกันนน้ั คือถ้าสัญญาณป้อนเขา้ มาทางอนิ พุต
เป็นบวก สัญญาณที่ออกทางเอาตพ์ ุตกจ็ ะเป็นบวก เช่นกันเรารียกวา่ สัญญาณอินเฟสกัน (Inphase)

4) อัตราขยายทางด้านกระแส (Current Gain : γ ) ซงึ่ เขียนแทนด้วยอกั ษรกรกี คือตวั แกรมม่า
(Gramma : γ ) ซ่ึงในวงจรคอมมอนเบสเราสามารถหาอัตราการขยายทางกระแสไดจ้ ากกระแสทางด้านเอาตพ์ ตุ

(IO) ตอ่ กระแสทางดา้ นอนิ พตุ (Ii)

γ  IO
Ii

หรือ

γ  IE สมการท่ี 5.4
IB

5) อตั ราการขยายแรงดนั (Voltage Gain: VG) หรอื บางครงั้ อาจจะใช้คาว่าโวลท์เตจ แอมปลไิ ฟเออร์
(Voltage Amplifier : AV) คือเป็นค่าอตั ราสว่ นระหว่างแรงดันทางดา้ นเอาต์พตุ (VO) ตอ่ แรงดันอนิ พุต ( Vi )

AV  VO
Vi

หรอื

AV  IERE สมการท่ี 5.5
IBRB

6) อตั ราขยายทางดา้ นกาลัง (Power Gain: PG) เปน็ อตั ราการขยายที่เกดิ จากผลคณู ระหวา่ งอตั ราการ
ขยายกระแส ( γ ) กับอตั ราขยายทางดา้ นแรงดัน (AV)

PG γ  AV สมการที่ 5.6

7) วงจรคอมมอนคอลเลคเตอรม์ ักจะถูกนาไปใชง้ านเก่ียวกับ วงจรบฟั เฟอร์ (Buffer Circuit) และวงจร
แมตชช์ ิง่ (Matching)

5.3 วงจรอิมิตเตอร์รว่ ม หรือคอมมอนอิมิตเตอร์ (Common Emitter : CE)
วงจรคอมมอนอิมติ เตอร์ เป็นวงจรทใี่ ช้ขาอมิ ิตเตอร์หรือขา E เปน็ ขารวมระหว่างอินพตุ กับเอาต์พตุ ดงั รูป

ที่ 5.3 วงจรคอมมอนอมิ ติ เตอร์เบือ้ งต้น

Out put

In put IB IC Zo

Zi Vo
Vi RB IE RL

+- - +

VBB VCC

ก) วงจรคอมมอนอิมติ เตอร์ชนดิ NPN

Out put

In put IB IC Zo

Vi Zi Vo
RB IE RL

-+ +-

VBB VCC

ข.วงจรคอมมอนอมิ ติ เตอรช์ นิด PNP

รูปที่ 5.3 วงจรคอมมอนอมิ ติ เตอรเ์ บอ้ื งตน้

จากวงจรจะเหน็ ว่าสญั ญาณอินพุตเข้าทางขา B และสัญญาณเอาต์พุตออกทางขา C โดยมีขา E เป็นขารว่ ม
ระหวา่ งอินพุต กับเอาต์พตุ ซงึ่ สามารถสรุปคณุ สมบตั ขิ องวงจรคอมมอนอมิ ิตเตอร์ไดด้ ังน้ี

1) อมิ พแี ดนซท์ างด้านอินพตุ (Input Impedance :Zi ) หรือค่าความต้านทานทางดา้ นอินพุตของวงจรมี
ค่าตา่ เนอ่ื งจากขา B ไดร้ ับการไบอัสตรงเมือ่ เทยี บกบั ขา E

2) อิมพแี ดนซ์ทางด้านเอาต์พุต (Output Impedance :Zo ) หรือค่าความตา้ นทานทางด้านเอาต์พตุ ของ
วงจรมีคา่ สงู เนื่องจากขา C ไดร้ ับการไบอัสกลบั เมื่อเทียบกับขา E

3) เฟส (Phase) ของสัญญาณอินพตุ และเอาต์พตุ จะต่างกัน 180 องศา นั้นคือถ้าสญั ญาณปอ้ นเขา้ มาทาง
อนิ พุตเป็นบวก สัญญาณทีอ่ อกทางเอาต์พตุ ก็จะเปน็ ลบ ถา้ สญั ญาณป้อนเขา้ มาทางอนิ พุตเป็นลบ สญั ญาณที่ออก
ทางเอาต์พุตกจ็ ะเป็นบวกเราเรียกว่าสัญญาณกลับเฟสกัน (Out of Phase)

4) อตั ราขยายทางด้านกระแส (Current Gain : β ) ซึง่ เขยี นแทนดว้ ยอักษรกรีก คือเบต้า (Bata: β ) แทน
ซึง่ ในวงจรคอมมอนอิมติ เตอร์ เราสามารถหาอัตราการขยายทางกระแสได้จากกระแสทางดา้ นเอาต์พตุ (IO) ตอ่
กระแสทางดา้ นอินพุต (Ii)

β  IO
Ii

หรือ

IC สมการที่ 5.7
IB
β 

5) อตั ราการขยายแรงดัน (Voltage Gain: VG) หรอื บางครง้ั อาจจะใช้คาวา่ โวลท์เตจ แอมปลไิ ฟเออร์
(Voltage Amplifier: AV) คอื เปน็ ค่าอตั ราสว่ นระหว่างแรงดนั ทางด้านเอาต์พตุ (VO) ต่อแรงดันอินพุต ( Vi )

AV  VO
Vi

หรือ

AV  ICRL สมการที่ 5.8
IBRB

6) อัตราขยายทางดา้ นกาลัง (Power Gain: PG) เป็นอตั ราการขยายท่เี กิดจากผลคณู ระหว่างอัตราการ
ขยายกระแส ( β ) กับอัตราขยายทางด้านแรงดัน (AV)

PG  β  AV สมการที่ 5.9

7) วงจรคอมมอนอิมิตเตอร์ มักจะถูกนาไปใช้งานเกยี่ วกับ วงจรขยายเสียง (Amplifier Circuit) และ
วงจรขยายสญั ญาณ

5. กิจกรรมการเรียนรู้ (สัปดาห์ท่ี 5)

การจัดกิจกรรมการเรียนรู้โดยเน้นผู้เรียนเป็นสาคัญ เรื่อง วงจรคอมมอนทรานซิสเตอร์
1) ครูผู้สอนทาการวัดสัญญาณจากโปรแกรมจาลองวงจรทรานซิสเตอร์เพ่ือให้เห็นความแตกต่างของ
สัญญาณแตล่ ะแบบกอ่ นนามาสรุปในหัวขอ้ เร่ืองวงจรคอมมอนทรานซิสเตอร์ ใชเ้ วลา (10 นาท)ี

2) ใหผ้ เู้ รยี นได้ซักถามขอ้ มลู เพ่ิมเติม ใชเ้ วลา (5นาที)

3) ผู้สอนแจกใบความร้ทู ี่ 5 เรือ่ งวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์ ใชเ้ วลา (5นาท)ี

4) ผ้สู อนอธิบายความร้จู ากใบความรูท้ ี่ 5 ในหัวข้อ 5.1 วงจรคอมมอนเบสใช้เวลา (15 นาที) โดยใชส้ ่อื จาก
สื่อ Power point เรือ่ ง วงจรคอมมอนทรานซิสเตอร์ และจาลองการทางานดว้ ยโปรแกรมคอมพิวเตอร์

5) ผสู้ อน และผูเ้ รยี นร่วมกันสรุป เรื่องวงจรคอมมอนเบสอีกครง้ั ใช้เวลา (5 นาท)ี

6) ผ้สู อนอธบิ ายความรจู้ ากใบความรทู้ ี่ 5 ในหัวขอ้ 5.2 เร่อื งวงจรคอมมอนคอลเลคเตอร์ใชเ้ วลา (15 นาท)ี
โดยใชส้ ือ่ จากสอื่ Power point เร่อื งทรานซสิ เตอร์ และจาลองการทางานดว้ ยโปรแกรมคอมพิวเตอร์

7) ผู้สอน และผู้เรียนร่วมกันสรุป เรอ่ื งวงจรคอมมอนคอลเลคเตอร์ อีกครั้ง ใชเ้ วลา (5 นาที)

8) ผู้สอนอธบิ ายความรจู้ ากใบความรูท้ ี่ 5 ในหัวขอ้ 5.2 เรอ่ื งวงจรคอมมอนอีมิเตอร์ใชเ้ วลา (15 นาที) โดย
ใช้ส่อื จากสื่อ Power point เรื่องทรานซิสเตอร์ และจาลองการทางานดว้ ยโปรแกรมคอมพวิ เตอร์

9) ผสู้ อน และผ้เู รียนรว่ มกนั สรปุ เร่ืองวงจรคอมมอนอีมิเตอร์ อีกครั้ง ใชเ้ วลา (5 นาที)

10) ผู้สอนและผเู้ รียนช่วยกันสรปุ เนอื้ หาเรอื่ งวงจรคอมมอนทรานซิสเตอร์อีกครั้งใช้เวลา (20 นาท)ี

11) ผสู้ อนสอนให้นกั เรียนแบ่งกลุ่ม กลุ่มละ 3 คนตามความสมคั รใจ

12) ผสู้ อนสอนแจกใบงานการทดลองหนว่ ยที่ 5 เรอ่ื งการวัดและทดสอบคุณสมบตั ขิ องวงจรคอมมอน
ทรานซิสเตอร์ ให้ผูเ้ รียนแตล่ ะกลุ่ม ใชเ้ วลา (5 นาที)

13) ผสู้ อนอธิบายข้ันตอนการทดลองใบงานการทดลองในหนว่ ยท่ี 5 เร่อื งการวดั และทดสอบคุณสมบตั ิ
ของวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์ พรอ้ มให้คาแนะนา ช้ีแนะ และสังเกตพฤติกรรมของผเู้ รียนทุกกลมุ่ โดยใชแ้ บบ
สงั เกตพฤติกรรมท่ี 5 ใชเ้ วลา (90 นาท)ี

14) ผเู้ รยี นแต่ละกลมุ่ นาผลการทดลองและสรปุ ผลการทดลองออกมานาเสนอกล่มุ ละ 3 นาที ใช้เวลา
ทั้งหมด (20 นาท)ี

15) ผสู้ อนรว่ มอภปิ รายให้ขอ้ เสนอแนะประเมินผลการทดลองในหนว่ ยที่ 5 เร่อื งการวัดและทดสอบ
คุณสมบตั ิของวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์ ใช้เวลา (30 นาท)ี

16) ผู้สอนเสรมิ คุณธรรมดว้ ยการสอนสอดแทรกเร่อื งคา่ นิยมของคนไทย ๑๒ ประการใชเ้ วลา (20 นาที)

17) ผู้สอนและผูเ้ รยี นรว่ มกนั สรุปส่ิงท่ีเรียนมาท้ังหมด ก่อนทาการแบบทดสอบหลังเรียนหน่วยที่ 5 เร่ือง
วงจรคอมมอนทรานซสิ เตอรใ์ ชเ้ วลา (20 นาที)

18) ผเู้ รียนชว่ ยกนั ทาความสะอาด ปดิ ไฟ ตรวจดคู วามเรยี บร้อยชั้นเรียนใชเ้ วลา (5 นาที)

6.ส่อื และแหล่งการเรยี นรู้

6.1 ใบความรู้หนว่ ยท่ี เรอื่ งวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์
6.2 ใบงานท่ี 5 เรอ่ื ง การวัดและทดสอบคุณสมบัติของวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์
6.3 แบบทดสอบหนว่ ยที่ 5 วงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์
6.4 โปรแกรมจาลอง

7. หลักฐานการเรยี นรู้

7.1 หลกั ฐานการเรียนรู้
1) แบบทดสอบหนว่ ยที่ 5 ทรานซสิ เตอร์
2) ใบงานท่ี 5 เร่อื ง การวัดและทดสอบคณุ สมบัติของวงจรคอมมอนทรานซสิ เตอร์
3) แบบประเมนิ พฤติกรรม
4) แบบสงั เกตการณป์ ฏบิ ัติงาน

7.2 หลักฐานการปฏิบตั ิงาน
1) ใบงานที่ 5 เรื่อง การวัดและทดสอบคุณสมบัตขิ องวงจรคอมมอนทรานซิสเตอร์
2) แฟ้มสะสมผลงาน

8. การวดั และประเมนิ ผล วธิ ีการวัด เครอ่ื งมอื ผูป้ ระเมนิ
ทดสอบ แบบทดสอบหนว่ ยที่ 5 ครผู สู้ อน
จุดประสงคเ์ ชงิ พฤติกรรม ทดลอง ใบงานหนว่ ยท่ี 5 ครูผูส้ อน
1.อธิบายหลักการทางานของ
วงจรคอมมอนเบสไดถ้ ูกต้อง สงั เกตพฤติกรรม -แบบสังเกตพฤติกรรมค่านิยม ข้อ ครูผสู้ อน
2. อธบิ ายหลกั การทางานของ สงั เกตพฤตกิ รรม (๔) ครผู ู้สอน
วงจรคอมมอนคอลเลคเตอร์ได้ -แบบสงั เกตพฤติกรรมค่านิยม ขอ้ ครผู สู้ อน
ถกู ต้อง (๑๐)
3. อธบิ ายหลกั การทางานของ
วงจรคอมมอนอมิ ิตเตอร์ได้
4. ใฝ่หาความรู้ หมั่นศึกษาเล่า
เรียน ทัง้ ทางตรงและทางอ้อม

5.รู้จักดารงตนอย่โู ดยใชห้ ลัก
ปรัชญาของเศรษฐกจิ พอเพยี ง
ตามพระราชดารัสของสมเด็จ
พระเจา้ อย่หู ัวฯร้จู ักอดออมไว้
ใชเ้ มอ่ื ยามจาเป็น มไี ว้พอกิน
พอใช้ ถ้าเหลือก็แจกจ่าย
จาหน่ายและพร้อมท่จี ะขยาย
กจิ การเมื่อมีความเมื่อมี
ภูมิค้มุ กันทีด่ ี

9. เอกสารอ้างอิง

พนั ธ์ศักดิ์ พุฒิมานิตพงศ์. อิเล็กทรอนิกสใ์ นงานอุตสาหกรรม. กรงุ เทพฯ : สานักพิมพซ์ เี อด็ ยูเคชัน่ , 2553
ชัยวฒั น์ ลม้ิ พรจติ รวลิ ัย. คู่มือนกั อเิ ล็กทรอนิกส์.กรุงเทพฯ : สานกั พิมพ์ซเี อ็ดยูเคชน่ั ,
อดลุ ย์ กลั ยาแก้ว.อปุ กรณอ์ ิเล็กทรอนกิ ส์และวงจร(อุปกรณ์อิเล็กทรอนกิ ส์).กรุงเทพฯ : สานักพมิ พ์ศนู ยส์ ่งเสรมิ

อาชวี ะ,2546
สมาคมสง่ เสรมิ เทคโนโลยี (ไทย-ญีป่ ่นุ ).เทคโนโลยีสารกึ่งตวั นา.กรุงเทพฯ : บริษทั ดวงกมลสมยั จากดั

10. บันทึกผลหลงั การจดั การเรียนรู้

10.1 ขอ้ สรปุ หลังการจดั การเรียนรู้

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

10.2 ปัญหาท่พี บ

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

10.3 แนวทางแกป้ ัญหา

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

รายงานการตรวจสอบและอนุญาตให้ใช้

เห็นควรอนญุ าตใหใ้ ชส้ อนได้
เห็นควรปรบั ปรงุ เกีย่ วกับ
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………….
.…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงช่ือ(……………………………………………………………)

หัวหน้าหมวด / แผนกวิชา
…………/……………………………/………………..
เหน็ ควรอนุญาตใหใ้ ช้สอนได้
ควรปรับปรุงเกย่ี วกับ
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………
อื่นๆ………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………..……………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..
ลงช่ือ(……………………………………………………………)

รองผู้อานวยการฝ่ายวิชาการ
…………/……………………………/………………..
เหน็ ควรอนญุ าตใหใ้ ชส้ อนได้
อนื่ ๆ………………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………..……………………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………………………………………………………………………

……………………………………………………………..

ลงช่ือ(……………………………………………………………)
ผูอ้ านวยการวทิ ยาลยั การอาชีพกาญจนบุรี
…………/……………………………/………………..

แผนการจดั การเรียนรู้ หน่วยท่ี 6 ชั่วโมง
จานวน 5
สปั ดาหท์ ่ี 6

ชือ่ วิชา อปุ กรณ์อิเล็กทรอนิกสแ์ ละวงจร
……………..…………………………………………………………………………………….
ชอ่ื หน่วย ทรานซสิ เตอรส์ นามไฟฟ้า

(เฟต)……………………………………………………………………………………………………
ช่อื เรอื่ ง ทรานซิสเตอรส์ นามไฟฟ้า
(เฟต)………………………………………………………………………………………………………

1.สาระสาคัญ

ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า (Field Effect Transistor : FET) หรือเรียกได้อีกช่ือหนึ่งว่าเฟต เป็น
ทรานซิสเตอร์ชนิดพิเศษท่ีมีรอยต่อเดียว (Unipolar Devices) ทางานแตกต่างจากทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อ
(Bipolar Junction Transistor: BJT) คือการควบคุมกระแสใหไ้ หลผา่ นเฟตน้ัน จะควบคุมโดยการปอ้ นแรงดันท่ีขา
เกต (G) ของเฟตเทียบกับขาซอร์ส (S) แรงดันเกต (VGS) น้ีจะทาหน้าท่ีควบคุมปริมาณของสนามไฟฟ้าระหว่าง
รอยต่อให้เพิ่มข้ึนหรือลดลง เพื่อบังคับประมาณกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านรอยต่อเฟต จึงได้ช่ือว่าทรานซิสเตอร์
สนามไฟฟ้า

2. สมรรถนะประจาหนว่ ย

วัดทดสอบคณุ ลกั ษณะทางไฟฟา้ ของทรานซิสเตอร์สนามไฟฟา้ (เฟต)

3. จดุ ประสงค์การเรียนรปู้ ระจาหน่วย

3.1 จดุ ประสงค์ทวั่ ไป
เพ่อื ใหน้ ักเรยี นมีความรู้ ความเขา้ ใจ ในโครงสร้าง สญั ลักษณ์ คุณลักษณะทางไฟฟา้ การแปลความหมาย

ของคณุ ลักษณะทางไฟฟา้ รวมถึงการวดั ทดสอบทรานซิสเตอรส์ นามไฟฟ้า (เฟต) และกิจนสิ ัยในการค้นควา้ ความรู้
เพมิ่ เติม

3.2 จดุ ประสงค์เชิงพฤติกรรม / สมรรถนะประจาหน่วย
เม่ือผ้เู รยี นเรยี นจบในหนว่ ยแลว้ ผู้เรียนสามารถ
1. เขียนโครงสร้างและสัญลักษณข์ องทรานซสิ เตอรส์ นามไฟฟา้

2. อธิบายหลักการทางานของทรานซสิ เตอร์สนามไฟฟ้า
3. การแปลความหมายของคุณลกั ษณะทางไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์สนามไฟฟา้
4. วดั และทดสอบทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า
5. ใฝห่ าความรู้ หมนั่ ศกึ ษาเล่าเรยี น ทัง้ ทางตรงและทางอ้อม
6. รจู้ กั ดารงตนอยู่โดยใชห้ ลกั ปรัชญาของเศรษฐกิจพอเพยี งตามพระราชดารัสของสมเด็จพระเจ้าอย่หู วั ฯ
รู้จักอดออมไว้ใชเ้ มื่อยามจาเป็น มีไวพ้ อกนิ พอใช้ ถ้าเหลือก็แจกจ่ายจาหน่ายและพร้อมที่จะขยายกจิ การเมื่อมีความ
เม่ือมีภมู ิคมุ้ กันทีด่ ี

4. สาระการเรยี นรู้

6.1. โครงสรา้ งและสญั ลักษณ์ของทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า
ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า (Field Effect Transistor : FET) หรือเรียกได้อีกช่ือหนึ่งว่าเฟต เป็น

ทรานซิสเตอร์ชนิดพิเศษที่มีรอยต่อเดียว (Unipolar Devices) ทางานแตกต่างจากทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อ
(Bipolar Junction Transistor: BJT) คอื การควบคมุ กระแสใหไ้ หลผา่ นเฟตนนั้ จะควบคมุ โดยการป้อนแรงดันท่ีขา
เกต (G) ของเฟตเทียบกับขาซอร์ส (S) แรงดันเกต (VGS) น้ีจะทาหน้าท่ีควบคุมปริมาณของสนามไฟฟ้าระหว่าง
รอยต่อให้เพ่ิมขึ้นหรือลดลง เพ่ือบังคับประมาณกระแสไฟฟ้าท่ีไหลผ่านรอยต่อเฟต จึงได้ช่ือว่าทรานซิสเตอร์
สนามไฟฟา้ ข้อดีของเฟตท่เี ห็นไดช้ ดั เจนคือ ความตา้ นทานอินพุต (Input Impedance) มคี ่าสงู มาก ทาใหส้ ามารถ
ใช้แรงดันเพียงเล็กนอ้ ยไปควบคมุ การทางานของเฟตได้ เฟตท่ีมีการผลิตมาใช้งานแบ่งออกได้ 2 ประเภทดงั น้ี

6.1.1 จงั กช์ นั่ ฟลิ ดเ์ อฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์ (Junction Field Effect Transistor) หรือเจเฟต (J-FET) แบ่ง
ออกได้ 2 ชนิด คือ เจเฟตชนิดเอ็นแชนเนล (N-channel) ดังรูปท่ี 6.1 (ก) และ พีแชนเนล (P-channel) ดังรูปท่ี
6.1 (ข)

ก) โครงสรา้ ง และสัญลกั ษณ์ ของ J-FET ชนดิ N-channel

ข) โครงสร้าง และสญั ลกั ษณ์ ของ J-FET ชนิด P-channel

รูปท่ี 6.1 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของ JFET
จากรูปที่ 6.1โครงสรา้ งและสัญลักษณข์ อง J-FET จะเหน็ ว่า J-FET น้นั ประกอบดว้ ยสารกง่ึ ตวั นาตอนใหญ่
ซง่ึ เป็นทางเดินของกระแสหลัก ตอ่ ขาออกมาใช้งาน 2ขา ขาคอื ขาเดรน (Drain : D) และขาซอรส์ (Source : S) มี
สารกึง่ ตัวนาต่อประกบอยู่ดา้ นขา้ งตอ่ ขาใชง้ าน1ขาคอื ขาเกต (Gate : G)
6.1.2 เมทอลออกไซด์เซมิคอนดัคเตอร์ ฟิลด์เอฟเฟกต์ทรานซิสเตอร์ (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor) หรือเรียกว่ามอสเฟต (MOSFET) และสามารถเรียกได้อีกชื่อว่าอินซูเลเตดเกต ฟิลด์เอฟ
เฟกตท์ รานซสิ เตอร์ (Insulated Gate Field Effect Transistor) หรืออิกเฟต (IGFET) ซึง่ แบง่ ได้ 3แบบคอื

6.1.2.1 ดีพลีช่ันมอสเฟต (Depletion MOSFET) หรือ ดีมอสเฟต (D-MOSFET) แบ่งออกได้ 2
ชนิด คือชนิดเอ็นแชนเนล (N-channel) และพีแชนเนล (P-channel) ดังรูปที่ 6.2 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของ
D-MOSFET

ก) โครงสรา้ ง และสญั ลกั ษณ์ ของ D-MOSFETชนิด N-channel

ข) โครงสร้าง และสัญลกั ษณ์ ของ D-MOSFETชนดิ P-channel
รูปที่ 6.2 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของD-MOSFET

จากรูปที่ 6.2โครงสร้างและสัญลักษณ์ของD-MOSFET จะเห็นว่าโครงสร้างของ D–MOSFET จะ
ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนาตอนใหญ่อยู่ 1ตอนเพ่ือทาเป็นฐานรอง (Substrate : SS) และภายในฐานรองมีสารกึ่ง
ตัวนาที่เป็นชนิดตรงข้ามกันอยู่ภายใน ต่อขาออกมาเป็นขาเดรน(D) และขาซอร์ส(S) ในขณะที่ขาเกต(G) วางอยู่
ระหวา่ งขา D และขา S ถูกแยกออกไปต่างหาก โดยถูกวางลงบนฉนวนซิลคิ อนไดออกไซด์ (Silicon Dioxide : SiO2)

6.1.2.2 เอน็ ฮานเมนต์มอสเฟต (Enhancement MOSFET) หรือ อีมอสเฟต (E-MOSFET) แบ่ง
ออกได้ 2 ชนิด คือ ชนิดเอ็นแชนเนล (N-channel) และพีแชนเนล (P-channel) ดังรูปท่ี 6.3 โครงสร้างและ
สญั ลักษณ์ของ E-MOSFET

ก) โครงสร้าง และสญั ลักษณ์ ของ E-MOSFETชนิด N-channel

ข) โครงสร้าง และสัญลกั ษณ์ ของ E-MOSFETชนดิ P-channel
รูปท่ี 6.3 โครงสรา้ งและสัญลักษณ์ของ E-MOSFET

จากรูปที่ 6.3โครงสร้างและสัญลักษณ์ของE-MOSFET จะเห็นว่าโครงสร้างของ E–MOSFET จะ
ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนาตอนใหญ่อยู่ 1ตอนเพื่อทาเป็นฐานรอง (Substrate : SS) และภายในฐานรองมีสารก่ึง
ตัวนาทีเ่ ป็นชนดิ ตรงขา้ มกนั อย่ภู ายใน 2 ตอน ต่อขาออกมาเปน็ ขาเดรน(D) และขาซอรส์ (S) ในขณะทขี่ าเกต(G) วาง
อยรู่ ะหว่างขา D และขา S ถกู แยกออกไปตา่ งหาก โดยถูกวางลงบนฉนวนซิลคิ อนไดออกไซด์ (Silicon Dioxide : SiO2)

6.1.2.3 เวอร์ตคิ อลมอสเฟต ( Vertical MOSFET ) หรือ วีมอสเฟต ( V-MOSFET )แบ่งออกได้
2 ชนดิ คือ ชนดิ เอน็ แชนเนล (N-channel) และพแี ชนเนล (P-channel) ดงั รูปท่ี 6.4 โครงสร้างและสญั ลักษณ์
ของ V-MOSFET

ก) โครงสรา้ ง และสัญลักษณ์ ของ V-MOSFETชนดิ N-channel

ข) โครงสรา้ ง และสัญลกั ษณ์ ของ V-MOSFETชนดิ N-channel
รูปที่ 6.4 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของ V-MOSFET

จากรูปที่ 6.4โครงสร้างและสัญลักษณ์ของV-MOSFET จะเห็นว่าโครงสร้างของ V –MOSFET แตกต่างไป
จากมอสเฟตชนิดอื่นๆ คือขาเดรน (D) และขาซอร์ส (S) ถูกผลิตให้แยกออกเป็นแนวด่ิงมีตัวนาชนิดตรงข้ามกันคน่ั
ไว้ ส่วนขาเกต (G) ถูกสรา้ งไว้เป็นรูปตัววี มีแผน่ เพลตของขา( G) วางแยกออกตา่ งหาก

6.2 การไบแอสทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า

6.2.1 หลกั การทางานของ J-FET การจ่ายไบแอสให้กับ J-FET ทางานนัน้ ต้องจ่ายให้ถูกตอ้ งถึงแม้ขาเดรน
กบั ขาซอรส์ จะต่อถงึ กนั ตามโครงสร้าง การจ่ายไฟไบแอสท่ีถกู ต้องให้กับ J-FET ตอ้ งจ่ายไฟไบอสั ตรงใหก้ ับขาซอรส์
(S) เมื่อเทยี บกับขาเดรน (D) และจา่ ยไฟไบแอสกลับให้กับขาเดรน (D) และขาเกต (G) เมอ่ื เทียบกับขาซอร์ส (S) ดังรปู ท่ี
6.5 วงจรการทางานของ J-FET

RL

D ID +
- VDD
G

- IG S

+

ก) วงจรสญั ลกั ษณ์ของ J-FET

RL

D ID +
- VDD
GP N P
VGG - IG
+
S

ข) วงจรตามโครงสร้างของ J-FET
รูปที่ 6.5 วงจรการทางานของ J-FET
จากรูปที่ 6.5 รูปแสดงการทางานของ J-FET ชนิด N-Channel ถ้าเราจ่ายแรงดันไบแอส VDD ให้กับขา D
กับขา S โดยยงั ไม่ตอ้ งจา่ ยแรงดนั ไบแอสท่ี G จากโครงสรา้ งของ J-FET จะเห็นวา่ จะมีกระแส (ID) ไหลผ่านระหว่าง
ขา D ไปยังขา S สูงมากอยู่ค่าหน่ึงและไหลคงท่ีตลอดเวลา ถ้าเราต้องการควบคุมการไหลของกระแสหรือควบคุม
การทางานของ J-FET ให้มกี ารเปลี่ยนแปลง ทาได้โดยการจา่ ยแรงดันไบแอสทีข่ า G เทียบกับขา S (VGG) จากวงจร

โครงสร้างของ J-FET จะเห็นว่าเสมือนเราต่อแรงดันไบแอสกลับให้กับไดโอด ทาให้ไดโอดไม่ทางานเกิดรอยต่อดี
พลีทชั่นรีจินระหว่างรอยต่อ PN กว้างข้ึน หรือขณะนี้ J-FET มีค่าความต้านทานสูงขึ้นทาให้ไปต้านการไหลของ
กระแส ID ย่ิงเพ่ิมแรงดันไบแอสกลับให้กับขา G มากข้ึนเท่าไรรอยต่อก็ขยายความกว้างจนต้านการไหลของกระแส
ID จนไม่สามารถไหลผา่ นได้ ดังน้ันในการควบคุมการทางานของ J-FET เราสามารถควบคุมได้ด้วยค่าแรงดัน VGG ที่
จ่ายใหข้ า G เมือ่ เทียบกบั ขา S

6.2.2 หลักการทางานของ D-MOSFET การจ่ายไบแอสให้กับ D-MOSFET ทางานน้ันต้องจ่ายให้ถูกต้อง
คอื ต้องจา่ ยไฟไบแอสตรงให้กับขาซอรส์ (S) เม่อื เทยี บกับขาเดรน (D) และจา่ ยไฟไบแอสกลับให้กับขาเดรน (D) และขา
เกต (G) เมื่อเทียบกับขาซอร์ส (S) ดังรูปที่ 6.6 วงจรการทางานของ D-MOSFET จะเห็นว่าการจ่ายแรงดันไบแอสให้กับ
D-MOSFET จะมีลักษณะเหมอื นกับการจา่ ยไบแอสใหก้ ับ J-FET

- VDD+

ID RL D
S
+VGG- G ID RL

S - -G- D SiO2 VGG +- +
N ++ - - N -

PP

SS

รปู ท่ี 6.6 วงจรการทางานของ D-MOSFET

จากรูปท่ี6.6 วงจรการทางานของ D-MOSFET ชนิด N-Channel ถ้าเราจ่ายแรงดันไบแอส VDD ให้กับขา D
กับขา S โดยยังไม่ต้องจ่ายแรงดันไบแอสท่ี G จากโครงสร้างของ D-MOSFET จะเห็นว่าจะมีกระแส (ID) ไหลผ่าน
ระหว่างขา D ไปยังขา S สูงมากอยู่ค่าหน่ึงและไหลคงท่ีตลอดเวลา ถ้าเราต้องการควบคุมการไหลของกระแสหรือ
ควบคุมการทางานของ D-MOSFET ให้มีการเปล่ียนแปลง ทาได้โดยการจ่ายแรงดันไบแอสท่ีขา G เทียบกับขา S
(VGG) จากวงจรโครงสร้างของ D-MOSFET จะเห็นวา่ ขา G มีศกั ดิไ์ ฟฟ้าลบเกดิ ข้ึน เกิดสนามไฟฟ้าระหว่างขา S กับ
ฐานรอง(Substrate :SS) ศักด์ิไฟฟ้าลบจากขา G ผลักอิเล็กตรอนอิสระที่อยู่ในสาร N ให้ห่างออกไป และ
ขณะเดียวกนั ก็ดึงดดู โฮลใหเ้ คลื่อนเขา้ มาแทนที่ทาใหบ้ รเิ วณน้มี จี านวนโฮลมากขึ้นทาให้สารกึง่ ตวั นาชนิด N บริเวณ
นี้เปลี่ยน เป็นสาร P ทาให้ต้านการไหลของกระแส ID ที่จะไหลไปหาขา S การไหลของกระแส ID จะไหลได้มาก
น้อยเพยี งไรขน้ึ อยกู่ บั แรงดันไบแอส VGG ที่จ่ายใหก้ ับขา G

6.2.3 หลกั การทางานของ E-MOSFET การจา่ ยไบแอสให้กับ E-MOSFET ทางานนน้ั ต้องจา่ ยให้ถูกต้องคือ
ต้องจ่ายไฟไบแอสตรงให้กับขาเกต (G) เม่ือเทียบกับขาซอร์ส (S) และจ่ายไฟไบแอสกลับให้กับขาเดรน (D) เมื่อเทียบ
กับขาซอร์ส (S) ดงั รูปที่ 6.7 วงจรการทางานของ E-MOSFET

- VDD+

ID RL D ID

-VGG+ G RL

S GD SiO2 VGG +- S+
++++ - VDD

N -- -- N

PP

SS

รูปท่ี 6.7 วงจรการทางานของ E-MOSFET

จากรูปท่ี6.7 วงจรการทางานของ E-MOSFET ชนิด N-Channel ถ้าเราจ่ายแรงดันไบแอส VDD ให้กับขา D
กบั ขา S โดยยังไม่ต้องจ่ายแรงดันไบแอสที่ G จากโครงสรา้ งของ E-MOSFET จะเหน็ วา่ จะไม่มีกระแส (ID) ไหลผ่าน
ระหว่างขา D ไปยังขา S เพราะขณะนี้ E-MOSFET ยังไม่ทางานเน่ืองจากเน้ือสารก่ึงตัวนาท่ีขา D และขา S ไม่ต่อ
ถึงกันให้ดูจากโครงสร้างและสัญลักษณ์ ดังนั้นในการควบคุมให้ E-MOSFET ทางานทาได้โดยจ่ายแรงดันไบอัสตรง
ให้กับขา G เทียบกับขา S (VGG) จะเห็นว่าขา G มีศักด์ิไฟฟ้าเป็นบวกเกิดสนามไฟฟ้าระหว่างขา G กับฐานรอง
(Substrate :SS) ศักด์ิไฟฟ้าบวกจากขา G ผลักโฮลท่ีอยู่ในบริเวณน้ีให้ออกห่างไป และขณะเดียวกันก็ดึงดูด
อเิ ลก็ ตรอนอสิ ระที่อยใู่ นเน้ือสาร P ให้เคลอื่ นเข้ามาแทนที่ทาให้บรเิ วณนี้มจี านวนอิเล็กตรอนอสิ ระเพิม่ มากขนึ้ ทาให้
สารก่ึงตัวนาชนิด P บริเวณน้ีเปลี่ยน เป็นสาร N เพิ่มมากขึ้นทาให้กลายเป็นการเช่ือมขา D และขา S เข้าด้วยกัน
ทาให้กระแส ID ไหลผา่ นมาได้ กระแส ID จะไหลมากน้อยเพยี งไรข้นึ อยู่กับการปรบั แรงดนั ไบอัส VGG

6.3 การแปลความหมายของคุณลักษณะทางไฟฟา้ ของทรานซสิ เตอร์สนามไฟฟ้า
เนอ่ื งจากทรานซสิ เตอร์สนามไฟฟ้าที่ผลิตออกมาใช้งานมากมายหลายแบบ หลายเบอร์ ต่างกม็ ีคุณสมบัติ

ทางกระแส และแรงดัน เฉพาะตัวของเบอร์นนั้ ๆ บรษิ ทั ผู้ผลติ จงึ จัดทาข้อมูลรายละเอยี ดของทรานซสิ เตอร์
สนามไฟฟ้า(Filed Effect Transistor Specification) ในแต่ละเบอร์ของทรานซสิ เตอร์สนามไฟฟ้า เพ่อื ท่จี ะใหผ้ ูใ้ ช้

สามารถเลอื กใชง้ านทรานซิสเตอรส์ นามไฟฟ้าไดถ้ กู ต้องตามคณุ สมบตั ิของทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าเบอรน์ ้ันๆ ดงั
รูปท่ี 6.8 ตวั อย่างข้อมลู รายละเอยี ดของทรานซสิ เตอรส์ นามไฟฟ้าเบอร์ 2 SK 2499,2SK2499-Z

2 SK 2499, 2SK2499-Z เป็น MOSFET ทางดา้ นกาลงั ชนิด N –Channel ใชใ้ นงานอุตสาหกรรม ใน
วงจรสวิตชิง่

คณุ ลักษณะการทางาน สัญลักษณ์ คา่ ชนิด คา่ สงู สดุ หน่วย การทดสอบ

ค่าความตา้ นทานบนฐานรองระหวา่ งขา D RDS(ON1) ตา่ สุด
กับ S RDS(ON1)
แรงดันคัทออฟระหว่างขา G กับ S VGS(off) 7.3 9.0 MΩ VGS=10V,ID=25A
ค่าความนาโยกยา้ ยทางตรง
ค่ากระแสไฟฟ้าสูงสดุ ที่ไหลผา่ นขา D กับ S Yfs 11 14 MΩ VGS=4V,ID=25A
คา่ กระแสไฟฟ้าสูงสดุ ทไ่ี หลผ่านขา G กบั S IDSS
คา่ คาปาซแิ ตนซ์ทางเขา้ ระหว่างขา G กับ S IGSS 1.0 1.5 2.0 V VDS=10V,ID=1A
คา่ ความจุระหวา่ งขา D กับ S Ciss
คา่ ความจุระหวา่ งขา D กับ G Coss 20 58 S VDS=10V,ID=25A
ช่วงเวลาหน่วงขณะ Turn on Crss
ชว่ งเวลาขาข้นึ td(on) 10 µA VDS=60V,VGS=0V
ชว่ งเวลาหน่วงขณะ turn off tr
ช่วงเวลาขาลง QG ±10 µA VGS=±20V,VDS=0V
ประจสุ ูงสุดของขา G QGS
ประจสุ ูงสุดของขา G กับขา S QGD 3400 pF VDS=10V
VF(S-D) 1600 pF VGS=0V
ประจสุ งู สุดของขา G กบั ขา D 770 pF f =1 MHz
VF(S-D)
คา่ แรงดันไดโอดขณะไบอสั ตรงท่ีขา S-D 55 nS ID=25A
trr 360 nS VGS(on) =10V
การคืนตัวของเวลาขณะไบแอสกลบั VDD=30V
Qrr 480 nS RG = 10Ω
การคืนตัวของการประจขุ ณะไบแอสกลบั 360 nS

152 nC ID=50A
11 nC VDD=48V
60 nC VGS=10V

0.92 V IF=50A,VGS=0V

105 nS IF=50A,VGS=0V
265 nC di/dt=100 A/µS

รปู ที่ 6.8 ตัวอย่างข้อมูลรายละเอยี ดของทรานซสิ เตอรส์ นามไฟฟา้ เบอร์ 2 SK 2499,2SK2499-Z
ท่ีมาhttp://pdf1.alldatasheet.com/datasheetpdf/view/21980/STMICROELECTRONICS/BD139.html
เขา้ ถงึ เมื่อ 24 กรกฎาคม 2557

6.4 หลักการวัดและทดสอบทรานซสิ เตอรส์ นามไฟฟา้
6.4.1 การตรวจสอบ J-FET ดว้ ยมลั ติมเิ ตอร์ จากโครงสรา้ งของ J-FET กส็ ามารถตรวจสอบไดด้ ว้ ยมลั ติ

มิเตอรโ์ ดยต้ังยา่ นวดั ที่ R × 10 โดยกอ่ นทาการวัดให้ปรบั ศูนย์โอห์มเสยี กอ่ น และมีขน้ั ตอนการวดั ดงั น้ี
6.4.1.1 สาหรับ J-FET ชนิด N – Channel ที่มสี ภาพปกติจะต้องวัดไดด้ งั น้ี
1) ถา้ นาสายบวกแตะท่ี ขา G (สาร P) และสายลบแตะท่ขี า D (สาร N) จะไดค้ ่าความ

ตา้ นทานต่าแต่ถา้ สลับสายจะ ได้ค่าความต้านทานมคี ่าสูงมาก
2) ถา้ นาสายบวกแตะทข่ี า G (สาร P) และสายลบแตะท่ีขา S (สาร N) จะได้ค่าความ

ตา้ นทานต่า แต่ถา้ สลับสายจะ ไดค้ ่าความต้านทานมคี ่าสงู มาก

3) วัดคา่ ความต้านทานระหว่างขา D กบั ขา S จะได้ความต้านทานเทา่ กนั ไมว่ า่ จะสลบั

สายวดั อยา่ งไร

6.4.1.2 สาหรับ J-FET ชนดิ P – Channel ที่มสี ภาพปกตจิ ะต้องวัดไดด้ งั นี้

1) ถา้ นาสายลบแตะทขี่ า G (สาร N) และสายบวกแตะทขี่ า D (สาร P) จะได้

คา่ ความตา้ นทานต่าแตถ่ ้าสลบั สายจะ ไดค้ า่ ความต้านทานมีค่าสูงมาก

2) ถา้ นาสายลบแตะทขี่ า G (สาร N) และสายบวกแตะท่ีขา S (สาร P) จะได้

คา่ ความตา้ นทานต่าแต่ถา้ สลบั สายจะ ไดค่าความตา้ นทานสงู มาก

3) วดั ความตา้ นทาน ระหวา่ งขา D กบั ขา S จะได้คา่ ความต้านทานเท่ากัน
ไมว่ า่ จะสลบั สายวัดอย่างไรการทีจ่ ะทราบไดว้ า่ ขาใดคือขา G ก็จะอาศัยผลการวัดในข้อ 1 และ 2 สว่ นขา D และ S
เราไมส่ ามารถบอกได้จากการตรวจสอบดว้ ยมลั ติมเิ ตอร์ ซึง่ จะทราบได้ตอ้ งเปิดคู่มอื เบอรข์ อง J-FET ( ECG)

6.4.2 การตรวจสอบ E-MOSFET ด้วยมัลติมิเตอร์ โดยท่ัวไป E-MOSFET จะมีไดโอดต่ออยู่ภายใน
ระหวา่ งขา D กับขา S ดังรูปที่ 6.9 โครงสรา้ งภายในของ E-MOSFET

รูปที่ 6.9 โครงสร้างภายในของ E-MOSFET

6.4.2.1 กรณี N - Channel

1.) จากโครงสร้างถ้าเราวดั ความตา้ นทานระหว่างขา D กบั S จะตอ้ งไดค้ า่ ความตา้ นทาน

สงู มาก ไมว่ า่ จะสลับสายวัดอย่างไร (ถ้าไดค้ า่ ความตา้ นทานค่าตา่ แสดงว่าชารุด) แตถ่ ้าวัด E-MOSFET เชน่ เบอร์ BS
170 (เป็น N – Channel) จะมีไดโอดต่ออยูภ่ ายในระหว่างขา D กบั ขา S ถ้านาสายบวกแตะขา S และสายลบแตะ
ขา D จะได้คา่ ความตา้ นทานมาก ถา้ สลบั สายวดั จะได้คา่ ความต้านทานต่าเหมอื นกบั การวัดไดโอด

2) สาหรบั ขา G ถา้ นาสายบวกแตะขา G สายลบแตะขา D หรือ S จะได้คา่ ความ

ต้านทานมาก ถ้าสลับสายวัดจะได้ความต้านทานสูงมาก (เพราะว่ามี SiO2 กั้นระหว่างขา G กับ D และ S) และถ้า
ทาการสลับสายวัดคือ สายลบ แตะขา G สายบอกแตะ ขา D หรือ S ก็จะไดความต้านทานสูงเชน่ กัน (จากข้อ 2 นี้
ถ้าได้ความตา้ นทานต่าแสดงว่าชารดุ )

3.) การทดสอบสภาพของ E-MOSFET ชนิด N – Channel วา่ ปกตหิ รือไม่ให้ทา

ตามลาดับขั้นดังนี้

(3.1) นาสายลัดวงจรที่ขาท้งั 3 แลว้ ปลดสายออก

(3.2) นาสายบวกแตะขา G สายลบแตะขา S (เป็นการประจุไฟฟ้าให้กับขา G
กบั S หรือ ปอ้ น VGS แลว้ ปลดออก

(3.3) นาสายบวกแตะขา G สายลบแตะขา S จะพบวา่ ได้ค่าความตา้ นทานค่าตา่


Click to View FlipBook Version
Previous Book
Kenya homework project
Next Book
Wood Catalogue